IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。 A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管
二极管中电流(),晶体管中从C极到E极的电流(),场效应管的漏极电流()。 A、穿过两个PN结B、穿过一个PN结C、不穿过PN结D、穿过三个PN结
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。A、电压B、电流C、双极型为电压、场效应为电流D、双极型为电流、场效应为电压
双极型晶体管是（）控制器件，单极型晶体管是（）控制器件。
普通双极型晶体管是由（）。A、一个PN结组成B、二个PN结组成C、三个PN结组成
通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
三极晶体管的结构，目前常用的有平面型和合金型两类。
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结（）、集电结（）。
双极型晶体管（BJT）放大偏置时，应在其发射结加（）电压，在集电结加（）电压。
三极管有（）型和（）型两种结构，三极管中集电区与基区之间的PN结称为（）结，基区与发射区之间的PN结成为（）结。
双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加（）向电压；（2）集电结外加（）向电压。
三极管又叫双极型三极管，它的种类很多，按PN结的组合方式可分为（）型和（）型。
GTR是一种（）晶体管．A、双极型B、单极型C、混合型D、三极型
双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制
单选题GTR是一种（）晶体管．A双极型B单极型C混合型D三极型
单选题双极型晶体管有（）A二个pn结B一个pn结C三个pn结D没有pn结
问答题简述四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用。
问答题为什么GaAs同质结双极型晶体管的性能很难达到或超过硅基BJT的性能？
问答题在双极集成电路制造中，为什么要采用外延和埋层工艺？
填空题双极型晶体管其有两种基本结构：PNP型和（）型。
填空题在放大模式偏置下，双极型晶体管的EB结（），CB结反向偏置。
填空题三极管又叫双极型三极管，它的种类很多，按PN结的组合方式可分为（）型和（）型。
问答题为什么采用AlGaAs/GaAs异质结结构制造的双极型晶体管（HBT）具有好的性能？