问答题Si3N4材料在半导体工艺中能否用作层间介质，为什么？请举两例说明Si3N4在集成电路工艺中的应用。
问答题
Si3N4材料在半导体工艺中能否用作层间介质，为什么？请举两例说明Si3N4在集成电路工艺中的应用。
参考解析
解析：
暂无解析
相关考题：
设计单位在施工图卷册总说明中，应明确标准工艺应用清单，内容不包括（）。标准工艺的名称、编号及应用数量；在施工图卷册说明中明确应用标准工艺的名称、部位。A、工艺名称B、工艺应用率C、工艺应用部位D、工艺应用数量
填空题由于O2在SiO2中的扩散率远（）于Si 在SiO2中的扩散率，所以氧化反应是由O2穿过SiO2层，在（）界面与Si原子反应。相同温度下，湿氧氧化速率（）于干氧氧化速率，是因为在SiO2中，H2O比O2有更（）的扩散率和溶解度。由于N2和Si在Si3N4中的扩散率都很（），所以很难在Si衬底上热生长Si3N4。通常在Si衬底上用（）法沉积Si3N4薄膜。
问答题为什么说半导体材料在集成电路制造中起着根本性的作用？