问答题APCVD、LPCVD、PECVD和HDPCVD中文名称分别是?

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APCVD、LPCVD、PECVD和HDPCVD中文名称分别是?

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RADIUS的英文和中文名称分别是______和______。

简述PECVD薄膜沉积的原理。

简述PECVD设备的特点。

下列符号的中文名称分别是: PRPP();IMP();XMP();

除()、()外,其余α-氨基酸都可参加转氨基作用。GOT和GPT的中文名称分别是()、()。

问答题解释APCVD,使用APCVD SiO2的主要问题是什么,是用硅烷作为反应源吗?

问答题解释HDPCVD,它在IC中有什么优势?

名词解释题APCVD(常压CVD)

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问答题解释HDPCVD中同步沉积和刻蚀。典型深宽比的值是什么?

名词解释题LPCVD(低压CVD)

问答题解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别,哪种工艺依赖于温度,LPCVD和APCVD各属于哪种类型?

问答题简述常压CVD系统(APCVD)的优缺点。

填空题PECVD所采用的等离子种类有()。

判断题LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆盖,在低温APCVD中,非保形覆盖一般比较常见。A对B错

判断题LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃,采用增强的等离子体,增加淀积能量,即低压和低温。A对B错

填空题下列符号的中文名称分别是: PRPP();IMP();XMP();

判断题在LPCVD中,由于hGkS,即质量转移系数远大于表面反应速率常数,所以,LPCVD系统中,淀积过程主要是质量转移控制A对B错

判断题在LPCVD中,由于hGkS,即质量转移系数远大于表面反应速率常数,所以,LPCVD系统中,淀积过程主要是表面反应速率控制A对B错

判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的,APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。A对B错

填空题除()、()外,其余α-氨基酸都可参加转氨基作用。GOT和GPT的中文名称分别是()、()。

填空题缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是()、()、高密度等离子体化学气相淀积和()。

问答题PECVD的机理?PECVD有何优势?

填空题HFC的英文和中文名称分别是()和()。

判断题与APCVD相比,LPCVD有更低的成本、更高的产量以及更好的膜性能,因此应用更为广泛。A对B错

名词解释题PECVD(等离子增强CVD)

问答题描述硅片偏置对HDPCVD方向性的影响。