常压350℃含量大,说明常压拔出率低,减压负荷增加,各侧线质量();常压350℃含量小,说明常压拔出率高,减压负荷少,各侧线质量()。
变异系数的缩写是（ ）A、GMPB、TGAC、CVD、RSDE、SD
质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工艺的区别？
a-Si：H以及合金材料，用（）、热CVD、光CVD等气相生长法可以制造薄膜。
瓶组式细水雾系统备用状态下，储水容器处于（）状态，储气容器处于（）状态。A、常压，高压B、常压，低压C、低压，常压D、高压，常压
关于CVD涂层，（）描述是不正确的。A、CVD对高速钢有极强的粘附性B、CVD是在700～1050℃高温的环境下通过化学反应获得的C、CVD涂层具有高耐磨性D、CVD表示化学气相沉积
常压炉出口温度过高，会造成（）。A、常顶温度升高B、常压侧线产品变重C、常压侧线产品变轻D、常顶温度下降
液力式动力转向、按液流的形式可分为（）。A、常流式和常压式B、常控式和常压式C、常压式和分压式D、常控式和分压式
问答题解释APCVD，使用APCVD SiO2的主要问题是什么，是用硅烷作为反应源吗？
问答题简述在APCVD SiO2时掺杂PH3，形成磷硅玻璃（PSG）的优缺点。
问答题解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD各属于哪种类型？
单选题液力式动力转向、按液流的形式可分为（）。A常流式和常压式B常控式和常压式C常压式和分压式D常控式和分压式
判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。A对B错
判断题CVD系统包括热壁式CVD系统和冷壁式CVD系统，在冷壁式CVD系统中侧壁温度与沉底温度相等。A对B错
单选题瓶组式细水雾系统备用状态下，储水容器处于( )状态，储气容器处于( )状态。A常压，高压B常压，低压C低压，常压D高压，常压
问答题缩写中文含义 APCVD HDPCVD LPCVD PECVD PVD BJT CD CMOS CMP MIC ILD MBE SOI DUV MOCVD BSG PSG BPSG RTP RTA IC LOCOS STI LI VLSI CA FIB ARC ASIC RIE FIB EUV LDD
判断题在半导体产业界第一种类型的CVD是APCVD。A对B错
判断题APCVD反应器中的硅片通常是平放在一个平面上。A对B错
判断题与APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的产量以及更好的膜性能，因此应用更为广泛。A对B错
多选题常压炉出口温度过高，会造成（）。A常顶温度升高B常压侧线产品变重C常压侧线产品变轻D常顶温度下降