在氨合成反应宏观动力学的表面反应过程中,控制表面反应的步骤是() A、氮气的活性吸附B、氢气的活性吸附C、生成氨的反应D、氨的脱附
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
在莫诺特方程式：μ=μmaxS/（Ks+S）中，Ks表示（）。A、速度常数B、饱和常数C、溶解度常数D、米氏常数
多相催化反应历程中，下列过程中属于物理过程的是（）A、外扩散B、脱附C、表面反应D、化学吸附
采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜？这层膜的优点是什么？
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
对于大多数结晶物系，晶体成长的控制步骤为（）。A、扩散过程B、表面反应过程C、传热过程D、3个过程共同控制
多相催化反应过程中，不作为控制步骤的是（）。A、外扩散过程B、内扩散过程C、表面反应过程D、吸附过程
氨合成反应的控制步骤是（）。A、内扩散B、外扩散C、表面反应过程D、氮在催化剂表面的活性吸附
合成反应是一多项催化过程，这个过程按下列（）过程进行。A、扩散—吸附—表面反应—解吸—扩散B、扩散—表面反应—吸附—解吸——散C、扩散—吸附—反应—扩散
非均相催化反应过程中起化学反应的步骤是（）A、表面反应B、吸附C、脱附D、内扩散
气固相催化反应主要包括（）等过程。A、表面反应B、内扩散C、预混合D、外扩散
外部传质过程影响导致催化剂颗粒外表面反应物浓度下降，产物浓度上升。
判断题在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。A对B错
判断题LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆盖，在低温APCVD中，非保形覆盖一般比较常见。A对B错
判断题LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。A对B错
单选题在氨合成反应宏观动力学的表面反应过程中，控制表面反应的步骤是（）A氮气的活性吸附B氢气的活性吸附C生成氨的反应D氨的脱附
判断题在LPCVD中，由于hGkS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是质量转移控制A对B错
问答题APCVD、LPCVD、PECVD和HDPCVD中文名称分别是？
单选题对于大多数结晶物系，晶体成长的控制步骤为（）。A扩散过程B表面反应过程C传热过程D3个过程共同控制
判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。A对B错
填空题缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。
判断题LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的。A对B错
单选题在低温结晶时，晶体成长速率主要受（）控制。A扩散过程B表面反应过程C传热过程D三者共同