发现质量问题的药品，暂停( )，转移至( )，及时在计算机系统中( )，通知( )进行确认。
下面各量中适用于带电粒子的量有A．质量减弱系数B．质能转移系数C．质能吸收系数D．质量阻止本领E．传能线密度
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
在莫诺特方程式：μ=μmaxS/（Ks+S）中，Ks表示（）。A、速度常数B、饱和常数C、溶解度常数D、米氏常数
采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜？这层膜的优点是什么？
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
数字内容资源在转移和复制过程中要特别注意内容的（）。A、数量B、质量C、版本D、版权
印刷过程中，由于在压力的作用下完成图像转移，所以，（）是不可避免的。
在气体吸收中，m代表（）A、亨利系数B、挥发度C、相平衡常数D、气体的质量
由于人员选拔是个复杂的过程，所以应关注最终结果的质量，而不是该过程中每一步工作的质量。
判断题在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。A对B错
问答题解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD各属于哪种类型？
判断题LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆盖，在低温APCVD中，非保形覆盖一般比较常见。A对B错
判断题LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。A对B错
判断题CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。A对B错
判断题在LPCVD中，由于hGkS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是表面反应速率控制A对B错
填空题印刷过程中，由于在压力的作用下完成图像转移，所以，（）是不可避免的。
问答题APCVD、LPCVD、PECVD和HDPCVD中文名称分别是？
判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。A对B错
填空题缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。
判断题LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的。A对B错
问答题质量衰减系数和质量能量转移系数之间的联系和区别？