问答题解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别,哪种工艺依赖于温度,LPCVD和APCVD各属于哪种类型?
问答题
解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别,哪种工艺依赖于温度,LPCVD和APCVD各属于哪种类型?
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下列有关ARC工艺的说法正确的是()。A、ARC可以是硅的氮化物B、可用干法刻蚀除去C、ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成D、ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层E、ARC膜也可以通过CVD的方法形成
高速钢表面涂层工艺与硬质合金表面涂层技术类同,有()两种。A、高温烧结和高温高压烧结B、化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)C、热压法(HP)和热等静压法(HIP)D、电镀法和电铸法
问答题半导体工艺中常用的三种CVD反应器类型