名词解释题PECVD（等离子增强CVD）

名词解释题
PECVD（等离子增强CVD）

参考解析

解析： 暂无解析

相关考题：

制造陶瓷涂层发动机目前最佳的涂层方法是（）A、等离子喷涂法B、PVD法C、CVD法D、溶胶-凝胶工艺
查看答案
质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工艺的区别？
查看答案
二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
查看答案
简述PECVD薄膜沉积的原理。
查看答案
简述PECVD设备的特点。
查看答案
电池片局部点较正常情况下更亮，此现象为（）A、PECVD反B、亮斑C、灰斑D、绒丝
查看答案
a-Si：H以及合金材料，用（）、热CVD、光CVD等气相生长法可以制造薄膜。
查看答案
脑血管疾病(CVD)
查看答案
简述太阳能电池片制造PECVD的目的及原理？
查看答案
关于CVD涂层，（）描述是不正确的。A、CVD对高速钢有极强的粘附性B、CVD是在700～1050℃高温的环境下通过化学反应获得的C、CVD涂层具有高耐磨性D、CVD表示化学气相沉积
查看答案
简述CVD技术的反应原理
查看答案
产生等离子体的电力条件是（），无线电频率可从射频到VHF、微波范围内多种多样的频率，但目前射频等离子体CVD最普及。
查看答案
为了保持优良的结晶性能，提高制膜速度，除了要采用（）；（）投入外，多数也采用导入电源频率为60MHz---100MHz的VHF带等离子体的CVD法。
查看答案
薄膜光伏电池制备工艺中，等离子增强化学气相沉淀法的英文缩写是（）A、PVDB、LPVCDC、PEVCDD、LVCD
查看答案
名词解释题脑血管疾病(CVD)
查看答案
问答题CVD过程中采用等离子体的优点有哪些？
查看答案
名词解释题LPCVD（低压CVD）
查看答案
填空题PECVD所采用的等离子种类有（）。
查看答案
判断题LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。A对B错
查看答案
问答题APCVD、LPCVD、PECVD和HDPCVD中文名称分别是？
查看答案
判断题CVD系统包括热壁式CVD系统和冷壁式CVD系统，在冷壁式CVD系统中侧壁温度与沉底温度相等。A对B错
查看答案
填空题缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。
查看答案
问答题薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢，因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜，而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PECVD氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜？
查看答案
问答题PECVD的机理？PECVD有何优势？
查看答案
单选题“PECVD”中文表述是（）。A脉冲激光沉积B金属有机化学气相沉积C溅射D等离子体增强化学气相沉积
查看答案
填空题等离子增强反应沉积中，由于等离子体中（）、（）和（）相互碰撞，可以大大降低沉积温度，例如硅烷和氨气的反应在通常条件下，约在850℃左右反应并沉积氮化硅，但在等离子体增强反应的条件下，只需在350℃左右就可以生成氮化硅。
查看答案
问答题简述太阳能电池片制造PECVD的目的及原理？
查看答案
热门标签