填空题缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是()、()、高密度等离子体化学气相淀积和()。
填空题
缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是()、()、高密度等离子体化学气相淀积和()。
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问答题薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢,因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜,而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PECVD氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜?
多选题影响等离子体蚀刻特性好坏的因素包括以下几个方面()。A等离子体蚀刻系统的形态B等离子体蚀刻的参数C光刻胶D待蚀刻薄膜的淀积参数条件