单选题已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um，则该材料的禁带宽度为（）A0.886JB0.886eVC886JD886eV

单选题
已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um，则该材料的禁带宽度为（）
A

0.886J

B

0.886eV

C

886J

D

886eV

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已知某种原材料的全年需要量为7200个单位，假设生产周期为一年，原材料的在途时间为5天，则该种原材料的再订货点为（ ）个单位。A．20B．50C．100D．200
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若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()
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禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A、越不容易受B、越容易受C、基本不受
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禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
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光电池处于零偏或负偏时，产生的光电流Ip与输入光功率Pi的关系是Ip=RPi，式中R为响应率，R值随入射光波长的不同而变化，对不同材料制作的光电池R值分别在短波长和长波长处存在一截止波长（）A、在长波长处要求入射光子的能量大于材料的能级间隙EgB、在长波长处要求入射光子的能量小于材料的能级间隙Eg
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常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。A、1.12B、2.14C、1.42D、0.92
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在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；相应的器件如光电管、光电倍增管入射光改变材料内部电阻率的现象称（）；相应的器件如光敏电阻半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）。相应的器件如光电池、光电仪表。
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单选题材料的禁带宽度，最大的是（）A金属；B杂质半导体；C绝缘体；D本征半导体；
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单选题某半导体光电器件的长波限为13um，其杂质电离能ΔEi为（）A0.095JB0.095eVC9.5×104JD9.5×104eV
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判断题若金属溢出功为W，则长波限为1.24/W（nm）。A对B错
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多选题光电倍增管的短波限和长波限的决定因素有（）A光电阳极材料B光电阴极材料C窗口材料D倍增级材料
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判断题可以引起光电效应的光吸收包括本征吸收，杂质吸收，激子吸收，自由载流子吸收和晶格吸收。A对B错
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填空题本征半导体硅的禁带宽度是1.14eV，它能吸收的辐射的最大波长为（）。（普朗克恒量h＝6.63×10-34J·s，1eV＝1.6×10-19J）
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