单选题某半导体光电器件的长波限为13um，其杂质电离能ΔEi为（）A0.095JB0.095eVC9.5×104JD9.5×104eV

单选题
某半导体光电器件的长波限为13um，其杂质电离能ΔEi为（）
A

0.095J

B

0.095eV

C

9.5×104J

D

9.5×104eV

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利用半导体的自发辐射而制成的发光器件是（）。A、半导体激光器B、发光二极管C、PIN光电二极管D、雪崩光电二极管
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