光电池处于零偏或负偏时,产生的光电流Ip与输入光功率Pi的关系是Ip=RPi,式中R为响应率,R值随入射光波长的不同而变化,对不同材料制作的光电池R值分别在短波长和长波长处存在一截止波长()A、在长波长处要求入射光子的能量大于材料的能级间隙EgB、在长波长处要求入射光子的能量小于材料的能级间隙Eg

光电池处于零偏或负偏时,产生的光电流Ip与输入光功率Pi的关系是Ip=RPi,式中R为响应率,R值随入射光波长的不同而变化,对不同材料制作的光电池R值分别在短波长和长波长处存在一截止波长()

  • A、在长波长处要求入射光子的能量大于材料的能级间隙Eg
  • B、在长波长处要求入射光子的能量小于材料的能级间隙Eg

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方差分析使用的统计量F()A、是正态分布B、是正偏态的C、是负偏态的D、取值小于零

使PN结正偏的方法是:将P区接()电位,N区接()电位。正偏时PN结处于()状态,反偏时PN结处于()状态。

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