单选题已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4μm,则该材料的禁带宽度为()。A0.886eVB1eVC2eVD1.3eV

单选题
已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4μm,则该材料的禁带宽度为()。
A

0.886eV

B

1eV

C

2eV

D

1.3eV


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

若某二级公路为双向四车道(无分隔带),每车道宽度为3.5m,路肩宽度为1m,则该公路路基宽度为()。A、14mB、15mC、12mD、16m

某耐火极限为二级的会议中心,地上 5层,建筑高度为 30m,第二层采用敞开式外廊作为疏散走道。该外廊的最小净宽度应为()。A.1.1mB.1.2mC.1.3mD.1.4m

若光子能量足够大,则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量,从价带越过禁带到达导带。()

已知某材料的定额消耗量100m3,其中损耗量为20m3,则该材料的损耗率为( )。 A、20% B、25% C、16.6% D、15%

已知某材料总消耗量100m3,其中损耗量为20m3,则该材料的损耗率为( )。 A、20% B、25% C、16.6% D、15%

禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子()外界因素(如高温和辐射等)的干扰而产生变化。A、越不容易受B、越容易受C、基本不受

禁带宽度的大小决定着()的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素,如高温和辐射等的干扰而产生变化。

已知某收益性房地产的收益期限为50年,报酬率为8%时的价格为4000元/m2;如果该房地产的剩余收益期限为40年,报酬率为6%,则其价格为多少元/m2?

CIS的禁带宽度为(),是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值

常温下本征半导体硅的禁带宽度为()eV。A、1.12B、2.14C、1.42D、0.92

已知某种粉尘的粒径分布符合对数正态分布,且几何标准差为1.4,个数中位径为21.5μm,则其表面积平直径为()。A、29.2μmB、27.3μmC、24.1μmD、21.5μm

采用波长为0.8~0.9μm的红外光源时,宜采用哪种材料的光电器件做检测元件?为什么?

在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应;相应的器件如光电管、光电倍增管入射光改变材料内部电阻率的现象称();相应的器件如光敏电阻半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称()。相应的器件如光电池、光电仪表。

填空题某长方形薄层材料的方块电阻为100Ω,长度和宽度分别为300μm和60μm,则其长度方向和宽度方向上的电阻分别为( )和( )。若要获得1KΩ的电阻,则该材料的长应改变为()。

单选题材料的禁带宽度,最大的是()A金属;B杂质半导体;C绝缘体;D本征半导体;

单选题某半导体光电器件的长波限为13um,其杂质电离能ΔEi为()A0.095JB0.095eVC9.5×104JD9.5×104eV

判断题波长长于本征吸收的光波长波限的入射辐射能使器件产生本征吸收,改变本征半导体的导电特性。A对B错

判断题本征光电导器件的长波限可以达到130um。A对B错

多选题光电倍增管的短波限和长波限的决定因素有()A光电阳极材料B光电阴极材料C窗口材料D倍增级材料

单选题半导体()电子吸收光子能量跃迁入(),产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A价带,导带B价带,禁带C禁带,导带D导带,价带

单选题已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um,则该材料的禁带宽度为()A0.886JB0.886eVC886JD886eV

问答题采用波长为0.8~0.9μm的红外光源时,宜采用哪种材料的光电器件做检测元件?为什么?

判断题杂志吸收的长波限总要长于本征吸收的长波限。A对B错

判断题发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度。A对B错

填空题本征半导体硅的禁带宽度是1.14eV,它能吸收的辐射的最大波长为()。(普朗克恒量h=6.63×10-34J·s,1eV=1.6×10-19J)

单选题光电发射材料K2CsSb射长波限为680nm,该光电发射材料的光电发射阈值的大小为()A1.82×103JB1.82×103eVC1.82JD1.83eV

单选题已知某种粉尘的粒径分布符合对数正态分布,且几何标准差为1.4,个数中位径为21.5μm,则其表面积平直径为()。A29.2μmB27.3μmC24.1μmD21.5μm