判断题锗二极管的正向电阻很大,正向导通电压约为0.2V。()A对B错

判断题
锗二极管的正向电阻很大,正向导通电压约为0.2V。()
A

B


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要使二极管正向导通,外加正向电压必须大于二极管的死区电压。A对B错

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。A、大B、小C、相等D、无法判定

硅二极管的正向电压约为0.2V。()

开关二极管加正向偏置电压时导通,正向电阻很小,加反向偏置电压时截止,反向电阻很大。()

在常温常压下,锗二极管的正向导通压降约为()。A、0.1~0.3VB、0.4~0.5VC、0.6~0.8VD、0.9~1.0V

稳压二极管是利用()情况下管子电流变化很大而电压基本不变的这一特性。A、反向导通B、正向导通C、大电流D、高电压

二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()

开关二极管和普通二极管的导电特性相同,即加正向偏置电压导通,正向电阻很小;加反向偏置电压截止,()电阻很大。A、正向B、同步C、反向D、同向

对于晶体二极管,下列说法不正确的是:()A、正向电阻很小B、反向电阻很大C、正向电压大于死区电压时才能导通D、反向电压多大都不会导通

要使二极管正向导通,外加正向电压必须大于二极管的死区电压。

在判断被测二极管是硅管还是锗管,一般情况下是通过测量()来判断的。A、正向电阻B、正向电流C、反向电阻D、正向导通电压

锗二极管正向导通电压为0.6~0.8V。

锗二极管正向导通电压应为()。A、0.3vB、0.7vC、0vD、很大

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()

硅二极管的正向导通压降约为()A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V

常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取()V,锗二极管的正向导通电压取()V。

二极管具有()向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为()V;硅管约为()V。

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()

二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。

在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。

锗二极管的正向电阻很大,正向导通电压约为0.2V。()

单选题对于二极管来说,以下说法错误的是()。A正向电阻很小B反向电阻很大C无论加多大的反向电压,都不会导通D所加正向电压大于死区电压时,二极管才真正导通

单选题在判断被测二极管是硅管还是锗管,一般情况下是通过测量()来判断的。A正向电阻B正向电流C反向电阻D正向导通电压

判断题硅二极管的正向电压约为0.2V。()A对B错