要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。A对B错
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。A、大B、小C、相等D、无法判定
开关二极管加正向偏置电压时导通，正向电阻很小，加反向偏置电压时截止，反向电阻很大。（）
在常温常压下，锗二极管的正向导通压降约为（）。A、0.1～0.3VB、0.4～0.5VC、0.6～0.8VD、0.9～1.0V
稳压二极管是利用（）情况下管子电流变化很大而电压基本不变的这一特性。A、反向导通B、正向导通C、大电流D、高电压
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
开关二极管和普通二极管的导电特性相同，即加正向偏置电压导通，正向电阻很小；加反向偏置电压截止，（）电阻很大。A、正向B、同步C、反向D、同向
对于晶体二极管，下列说法不正确的是：（）A、正向电阻很小B、反向电阻很大C、正向电压大于死区电压时才能导通D、反向电压多大都不会导通
要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。
在判断被测二极管是硅管还是锗管，一般情况下是通过测量（）来判断的。A、正向电阻B、正向电流C、反向电阻D、正向导通电压
锗二极管正向导通电压应为（）。A、0.3vB、0.7vC、0vD、很大
硅二极管的正向导通压降约为（）A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
在工程估算中，硅二极管的正向导通电压取（）V，锗二极管的正向导通电压取（）V。
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）
单选题对于二极管来说，以下说法错误的是（）。A正向电阻很小B反向电阻很大C无论加多大的反向电压，都不会导通D所加正向电压大于死区电压时，二极管才真正导通
单选题在判断被测二极管是硅管还是锗管，一般情况下是通过测量（）来判断的。A正向电阻B正向电流C反向电阻D正向导通电压
判断题硅二极管的正向电压约为0.2V。（）A对B错