导通后二极管两端电压变化很小,硅管约为()。 A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
二极管真正导通后,硅管的电压约为()V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
二极管导通后锗管的导通电压一般取为（）V。A.0.2B.0.4C.0.5D.0.7
二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。A.0.10.2B.0.20.3C.0.50.1D.0.50.4
二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
晶体二极管特性为（）导通，（）截止，导通后硅管压降为（），锗管压降为（）。
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的导通电压值约为（），锗二极管的导通电压约为（）。
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（）A、0.6V；0.6VB、0.6V；0.1VC、0.1V；0.6VD、0.1V；0.1V
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）
导通后二极管两端电压变小，硅管约为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
单选题锗二极管导通时，它两端电压约为（）。A1VB0.7VC0.3VD0.5V
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。