问答题化学气相淀积薄膜的生长过程是怎样的?

问答题
化学气相淀积薄膜的生长过程是怎样的?

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制造半导体器件薄膜化学气相沉积装置A.8486.3021B.8486.2029C.8486.2021D.8486.3029

热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关?淀积速率的测量采用什么办法?

热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。

对于某种薄膜的CVD过程,淀积温度为900℃,质量传输系数hG=10cms-1,表面反应速率系数ks=1×107exp(-1.9eV/kT)cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择(1)冷壁,石墨支座型;(2)热壁,堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。

CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么?它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率?

物理气相淀积最基本的两种方法是什么?简述这两种方法制备薄膜的过程。

()是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。A、蒸镀B、离子注入C、溅射D、沉积

在半导体工艺中,如果淀积的薄膜不是连续的,存在一些空隙,则()。A、使薄膜的介电常数变大B、可能引入杂质C、可能使薄膜层间短路D、使薄膜介电常数变小E、可能使薄膜厚度增加

淋溶(eluviation)与淀积(illuviation)过程

有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法?

薄膜光伏电池制备工艺中,等离子增强化学气相沉淀法的英文缩写是()A、PVDB、LPVCDC、PEVCDD、LVCD

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判断题在一个化学气相淀积工艺中,如果淀积速率是反应速率控制的,则为了显著增大淀积速率,应该增大反应气体流量。A对B错

单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较,下面哪些说法是正确的:()。  1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长; 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上; 3.CVD SiO2,衬底硅不参加反应; 4.CVD SiO2,温度低。A1、2B2、4C1、4D1、2、4E1、2、3、4

判断题CVD是利用某种物理过程,例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移,即原子或分子由源转移到衬底(硅)表面上,并淀积成薄膜。A对B错

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单选题集成电路生产中,金属薄膜的沉积通常采用()A溅射物理气相沉积B蒸发物理气相沉积C等离子增强化学气相沉积D低压化学气相沉积

填空题缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是()、()、高密度等离子体化学气相淀积和()。

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