问答题低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?

问答题
低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?

参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?

热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关?淀积速率的测量采用什么办法?

土壤三相比,即指固相、气相、液相的溶积百分比。

采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜?这层膜的优点是什么?

热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。

物理气相淀积最基本的两种方法是什么?简述这两种方法制备薄膜的过程。

二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。

损伤的分布与注入离子在在靶内的()的分布密切相关。A、能量淀积B、动量淀积C、能量振荡D、动量振荡

淋溶(eluviation)与淀积(illuviation)过程

有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法?

在光纤的制备方法中,VAD法是指()。A、外部化学气相沉积法B、轴向化学气相沉积法C、改进的化学气相沉积法D、等离子化学气相沉积法

目前正在广泛研究的有化学气相沉积法、()、固相结晶、等。

低压化学气相沉积有哪些优点?

名词解释题化学气相淀积

问答题化学气象淀积是什么?

问答题简述化学气相淀积的概念?

判断题在一个化学气相淀积工艺中,如果淀积速率是反应速率控制的,则为了显著增大淀积速率,应该增大反应气体流量。A对B错

单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较,下面哪些说法是正确的:()。  1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长; 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上; 3.CVD SiO2,衬底硅不参加反应; 4.CVD SiO2,温度低。A1、2B2、4C1、4D1、2、4E1、2、3、4

问答题化学气相淀积(CVD)的概念,有哪五种基本化学反应?

单选题集成电路生产中,金属薄膜的沉积通常采用()A溅射物理气相沉积B蒸发物理气相沉积C等离子增强化学气相沉积D低压化学气相沉积

填空题缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是()、()、高密度等离子体化学气相淀积和()。

问答题物理气相淀积主要有哪三种技术?

填空题气相沉积法分为()和化学沉积法;化学沉积法按反应的能源可分为热能化学气相沉积、()。

名词解释题物理气相淀积(pvd)

问答题化学气相淀积薄膜的生长过程是怎样的?

问答题简述化学气相沉积(CVD)的优点。

问答题为溅射做一个简短的解释,并描述它的工作方式?溅射适合于合金淀积吗?溅射淀积的优点是什么?