名词解释题化学气相淀积

名词解释题
化学气相淀积

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低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?
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热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
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热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
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CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
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物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。
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二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
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损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。A、能量淀积B、动量淀积C、能量振荡D、动量振荡
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淀积粘化
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淀积黏粒胶膜
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腐殖质淀积层
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有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？
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在光纤的制备方法中，VAD法是指（）。A、外部化学气相沉积法B、轴向化学气相沉积法C、改进的化学气相沉积法D、等离子化学气相沉积法
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在下列化合物中，不能用于气相淀积的是（）A、Al（C4H9）3B、Cr[C6H4CH（CH3）2]3C、Al（OC3H7）3D、BaCO3
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问答题化学气象淀积是什么？
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问答题简述化学气相淀积的概念？
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判断题在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。A对B错
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单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。  1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4.CVD SiO2，温度低。A1、2B2、4C1、4D1、2、4E1、2、3、4
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名词解释题预淀积
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问答题化学气相淀积（CVD）的概念，有哪五种基本化学反应？
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判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。A对B错
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填空题缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。
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问答题物理气相淀积主要有哪三种技术？
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名词解释题灰化淀积物质
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填空题气相沉积法分为（）和化学沉积法；化学沉积法按反应的能源可分为热能化学气相沉积、（）。
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名词解释题物理气相淀积（pvd）
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问答题化学气相淀积薄膜的生长过程是怎样的？
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问答题低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比，优点有？
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