判断题CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。A对B错
判断题
CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。
A
对
B
错
参考解析
解析：
暂无解析
相关考题：
初中化学《分子结构》一、考题回顾题目来源:1月5日上午 四川省成都面试考题试讲题目:1.题目：分子结构2.内容：由分子构成的物质在发生物理变化时，分子本身没有发生变化。例如，水在蒸发时，它只是由液态变成了气态，而水分子没有变成其他分子，它的化学性质也没有改变;当品红溶于水时，品红分子和水分子都没有变成其他分子，它们的化学性质也各自保持不变。由分子构成的物质在发生化学变化时，一种物质的分子会变成其他物质的分子。例如，我们在实验室用过氧化氢分解制取氧气时，过氧化氢分子就变成了水分子和氧分子，水分子和氧分子是与过氧化氢不同的分子;再如，氢气在氯气中燃烧时，氢分子和氯分子都发生了变化，生成了氯化氢分子，氢气和氯气的性质不再保持。可见，由分子构成的物质，分子是保持其化学性质的最小粒子。分子是由原子构成的。有些分子由同种原子构成，如1个氧分子是由2个氧原子构成的，1个氢分子是由2个氢原子构成的;大多数分子由两种或两种以上原子构成，如1个二氧化碳分子是由1个碳原子和2个氧原子构成的，1个氨分子是由1个氮原子和3个氢原子构成的(如图3-5)。图3-5 几种分子的模型在化学变化中，分子可以分成原子，原子又可以结合成新的分子。例如，由过氧化氢分解制取氧气时，过氧化氢分子分解，生成水分子和氧分子;再如，加热红色的氧化汞粉末时，氧化汞分子会分解成氧原子和汞原子，每2个氧原子结合成1个氧分子，许多汞原子聚集成金属汞(如图3-6)。可见，在化学变化中，分子的种类可以发生变化，而原子的种类不会发生变化，因此，原子是化学变化中的最小粒子。图3-6 氧化汞分子分解示意图3.基本要求：(1)讲解分子的结构与组成。(2)培养学生从微观的角度去认识化学变化。(3)讲课时配合相应的板书。(4)如需要媒体辅助教学演示即可。答辩题目:1.在原子结构中决定元素种类的是什么?决定元素化学性质的是什么?2.简要评价你本节课的优缺点。二、考题解析【教学过程】环节一：情景引入【提出问题】到了夏天，经常下过雨之后地面很快就干了，是为什么?【学生回答】地面温度高，水很快由液态水蒸发成气态水。【提出问题】蒸发是一种常见的物理现象，那从微观上怎么去解释物质由液态到气态的变化呢?环节二：新课教学【演示实验】动画演示液态水蒸发成气态水的过程，学生观察动画中粒子的变化。【学生回答】水在蒸发时，它只是由液态变成了气态，而水分子没有变成其他分子，它的化学性质也没有改变【提出问题】除了蒸发之外，还有哪些现象分子也不会发生变化?【学生回答】糖的溶解、品红的扩散等。【提出问题】分子构成的物质在发生化学变化时，分子发生变化吗?保持物质化学性质的微粒是什么?【学生回答，教师总结】由分子构成的物质在发生化学变化时，一种物质的分子会变成其他物质的分子。例如，我们在实验室用过氧化氢分解制取氧气时，过氧化氢分子就变成了水分子和氧分子，水分子和氧分子是与过氧化氢不同的分子。可见，由分子构成的物质，分子是保持其化学性质的最小粒子。【视频演示】几种常见的分子结构图，如氧分子、氢分子、二氧化碳分子，观察分子是由什么组成的?【学生回答，教师补充】分子是由原子构成的。有些分子由同种原子构成，如1个氧分子是由2个氧原子构成的，1个氢分子是由2个氢原子构成的;大多数分子由两种或两种以上原子构成，如1个二氧化碳分子是由1个碳原子和2个氧原子构成的。【视频演示】氧化汞分子分解示意图。【提出问题】在分解过程中，发生了何种变化?【学生回答】氧化汞分子会分解成氧原子和汞原子，每2个氧原子结合成1个氧分子，许多汞原子聚集成金属汞。【教师讲解】在化学变化中，分子可以分成原子，原子又可以结合成新的分子。可见，在化学变化中，分子的种类可以发生变化，而原子的种类不会发生变化，因此，原子是化学变化中的最小粒子。环节三：拓展提高【提出问题】从微观角度解释由过氧化氢制取氧气发生的变化。【学生回答】由过氧化氢分解制取氧气时，过氧化氢分子分解，生成水分子和氧分子。环节四：小结作业小结：培养学生从微观角度认识物质的意识。作业：思考原子是构成物质的最小微粒吗?【板书设计】【答辩题目解析】1.在原子结构中决定元素种类的是什么?决定元素化学性质的是什么?2.简要评价你本节课的优缺点。
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。 1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4.CVD SiO2，温度低。A1、2B2、4C1、4D1、2、4E1、2、3、4
问答题为溅射做一个简短的解释，并描述它的工作方式？溅射适合于合金淀积吗？溅射淀积的优点是什么？