硅二极管的死区电压约为()伏。 A、0.1B、0.7C、0.2D、0.5
锗二极管的死区电压约为()伏。 A. 0.1B. 0.7C. 0.2D. 0.5
三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。
在三极管的输入特性曲线中,锗管的死区电压约为()左右。 A.0.3VB.0.1VC.0.2VD.0.5V
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 此题为判断题(对，错)。
对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。A、0.7B、0.5C、0.2
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
硅二极管的死区电压约为（）。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
硅管的死区电压约为（）。A、0.8VB、0.9VC、0.7VD、0.6V
锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。
硅三极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若越过死区电压就导通
在三极管的输入特性曲线中，锗管的死区电压约为（）左右。A、0.3VB、0.1VC、0.2VD、0.5V
晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.4VD、0.2V
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。A、0.7B、0.5C、0.2D、0.3
单选题硅三极管两端加上正向电压时（）。A立即导通B若超过0.3V才导通C若越过死区电压就导通
填空题硅管的死区电压（）伏，锗管的死区电压约为（）伏。
判断题锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。A对B错
单选题对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。A0.7B0.5C0.2
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？