从晶体二极管的伏安特性曲线看,硅管和锗管有什么区别?
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
锗晶体二极管的()电压降比硅晶体二极管小。()电流比硅晶体二极管大。
晶体二极管的伏安特性是一条( )。A.直线B.曲线C.正弦线D.双曲线
光可控硅是利用光照强度触发的新型可控元件，其伏安特性与普通可控硅相似。
硅稳压管是具有特殊（）特性的晶体二极管。A、正向B、反向C、双向D、多向
晶体二极管的伏安特性是一条（）。A、直线B、曲线C、正弦线D、双曲线
晶体二极管，晶体三极管和可控硅分别有（）外PN结。A、1.2.3B、1.3.2C、1.3.3D、1.2.2
稳压晶体二极管反向伏安特性曲线越陡，则动态电阻越大，稳压性能越好。
当温度升高时，晶体二极管的伏安特性曲线将向（）。A、下移动B、右移动C、不变D、左移动
根据电弧电流变化的快慢，其伏安特性由（）伏安特性和（）伏安特性之分。
二极管的伏安特性可大概理解为（）、（）。导通的硅管的压降约为（）V。
晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
晶体三极管发射结加正偏压、集电结加正偏压时，工作在截止区，具有开关特性。
晶体三极管发射结正偏、集电结反偏时，具有开关特性。
晶体二极管特性为（）导通，（）截止，导通后硅管压降为（），锗管压降为（）。
当硅晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，该管工作在（）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、无能确定
所谓晶体二极管的伏安特性是指加到二极管两端的电压与流过二极管电流的特性曲线。
单选题晶体二极管，晶体三极管和可控硅分别有（）外PN结。A1.2.3B1.3.2C1.3.3D1.2.2
问答题试比较硅整流二极管与硅光电二极管的伏安特性曲线，说明它们的差异。
判断题稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线不完全一致。A对B错
判断题稳压晶体二极管反向伏安特性曲线越陡，则动态电阻越大，稳压性能越好。A对B错
单选题当温度升高时，晶体二极管的伏安特性曲线将向（）。A下移动B右移动C不变D左移动
问答题试述光电管的简单结构及其光谱特性、伏安特性、光电特性、暗电流的特点。