以PMOS为例,写出PMOS器件随着VGS 、VDS变化而变化的三种不同状态下的IV特性方程。

以PMOS为例,写出PMOS器件随着VGS 、VDS变化而变化的三种不同状态下的IV特性方程。


参考答案和解析
正确

相关考题:

每一证券都有自己的风险―收益特性,而这种特性不会随着各相关因素的变化而变化。( )

MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。() 此题为判断题(对,错)。

每一种证券都有自己的风险一收益特性,而这种特性不会随着相关因素的变化而变化。( )

To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?

由下列器件构成的模拟开关中,导通电阻最低的是( )。A.CMOS场效应管B.PMOS场效应管C.NMOS场效应管D.二簧继电器

每一证券都有自己的风险一收益特性,而这种特性不会随着各相关因素的变化而变化。( )。

负荷特性是指负荷的有功功率和无功功率随着()变化而变化的规律。

以NH4Cl为例,写出焦油脱盐的化学反应方程式?

PMOS管的开启电压UT为()。A、正值B、负值C、零值D、正负值都有可能

MOS集成电路按其形式有NMOS和PMOS两种。

机车牵引力随着机车()不同而变化的规律称为机车的牵引特性。

采用了()门电路后,其比PMOS和NMOS门电路的功耗更低,速度更快。

长度比是一个常量,它既不随着点的位置不同而变化,也不随着方向的变化而变化。

下列门电路工作速度最快的一种是()。A、TTLB、CMOSC、NMOSD、PMOS

热敏电阻正是利用半导体()数目随着温度变化而变化的特性制成的()敏感元件。

下列()关于非线性元件定义是错误的。A、非线性元件指元件的特性随着外加的条件而变化B、元件的参数特性随时间变化而变化C、元件的参数特性随温度变化而变化D、元件的参数特性随电压因素而变化

填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是:()。所以,NMOS管的开启电压为(),PMOS管的开启电压为()。

问答题NMOS和PMOS的源漏如何形成的?

填空题在nwell上画pmos器件时需要在nwell上加(),并用金属线把这个()与nwell内的()电位相连接。

填空题机车牵引力随着机车()不同而变化的规律称为机车的牵引特性。

问答题请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应,并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。

问答题为什么NMOS工艺优于PMOS工艺?

问答题同宽长比的PMOS和NMOS谁的阈值要大一些?

填空题MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、()型。

单选题下列()关于非线性元件定义是错误的。A非线性元件指元件的特性随着外加的条件而变化B元件的参数特性随时间变化而变化C元件的参数特性随温度变化而变化D元件的参数特性随电压因素而变化

判断题PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A对B错

填空题PMOS是在()上形成P型沟道的MOSFET晶体管。

问答题简述PMOS管的具体结构。