MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。() 此题为判断题(对，错)。

MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。()

此题为判断题(对，错)。

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场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。 A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道
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结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
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下面有关MOS管的说法正确的是（）A．MOS晶体管的电学本质：电流控制电压源B．MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率C．MOS管本征寄生电容有三个来源，分别是：栅至沟道的电容，基本MOS结构电容（覆盖电容），结电容D．NMOS传输门传输低电平有阈值损失，PMOS传输门传输高电平有阈值损失
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CMOS门电路是以MOS管为开关器件构成的逻辑电路，它同时使用了PMOS管和NMOS管，以提高电路性能。对吗？
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70、MOS场效应管有增强型和耗尽型两类，每类又有N沟道和P沟道两种。
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N沟道增强型MOS管有截止和饱和导通两种工作状态。
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MOS场效应管按导电沟道可以分为n沟道器件和p沟道器件，按栅电压为零时是否形成反型层导电沟道可以分为增强型和耗尽型。
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6、MOS场效应管有增强型和耗尽型两类，每类又有N沟道和P沟道两种。
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1、MOSFET有N沟道和P沟道两种，下面说法错误的是（）。A．N沟道中载流子是电子B．P沟道中载流子是空穴C．N沟道有增强型和耗尽型D．P沟道只有耗尽型
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