问答题NMOS和PMOS的源漏如何形成的？

问答题
NMOS和PMOS的源漏如何形成的？

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场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
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场效应管放大电路以()之间的信号作为输入信号。 A、栅极和漏极B、栅极和源极C、漏极和源极D、基极和发射极
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旅游经济漏损的原因有()。 A、进口相关商品和劳务形成漏损B、引进旅游投资和管理形成漏损C、旅游社偷税漏税形成漏损D、景区少报门票收入形成漏损E、国外旅游企业跨国经营形成漏损
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MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。() 此题为判断题(对，错)。
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场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。
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please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P-well process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve? （威盛笔试题c ircuit design-beijing-03.11.09）
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To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?
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什么是NMOS、PMOS、CMOS？什么是增强型、耗尽型？什么是PNP、NPN？他们有什么差别？（仕兰微面试题目）
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由下列器件构成的模拟开关中，导通电阻最低的是( )。A．CMOS场效应管B．PMOS场效应管C．NMOS场效应管D．二簧继电器
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MOS集成电路按其形式有NMOS和PMOS两种。
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采用了（）门电路后，其比PMOS和NMOS门电路的功耗更低，速度更快。
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单极型集成电路可分为（）几种。A、TTL型B、TDK型C、PMOS型D、NMOS型E、CMOS型
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单极性集成电路包括（）A、TTL集成电路B、PMOS集成电路C、NMOS集成电路D、CMOS集成电路
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下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管
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利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。
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填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
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问答题为什么在相同工艺条件和相同几何尺寸下NMOS管速度要高于PMOS管？如果相同栅长的N管和P管要达到相同的速度，理论上N管和P管要满足什么条件？
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判断题NMOS源漏城需进行N+型掺杂。A对B错
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问答题请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
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问答题为什么NMOS工艺优于PMOS工艺？
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问答题源/漏极(source/drain)的形成步骤可分为那些?
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判断题NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A对B错
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问答题同宽长比的PMOS和NMOS谁的阈值要大一些？
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填空题MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、（）型。
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判断题PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A对B错
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填空题PMOS是在（）上形成P型沟道的MOSFET晶体管。
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单选题NMOS源漏的掺杂类型分别为（）AP+、P+BP+，N+CN+，N+DN+，P+
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