采用光刻、腐蚀等工艺加工的应变片类型为（）。A．金属丝式B．金属箔式C．电阻应变仪D．固态压阻式压力传感器

采用光刻、腐蚀等工艺加工的应变片类型为（）。

A．金属丝式

B．金属箔式

C．电阻应变仪

D．固态压阻式压力传感器

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LIGA (光刻)工艺制造微电子芯片属于精密特种加工。() 此题为判断题(对，错)。
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某种粗苯加工工艺特点是，进行脱硫、脱氮、脱氧和加氢饱和反应，采用共沸精馏、萃取精馏等方法。该粗苯加工工艺类型是（ ）。A.酸洗精制法B.低温加氢工艺C.中温加氢工艺D.高温加氢工艺
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依据左图的测量电桥，采用电阻应变片测量一根轴向受拉钢筋的纵向应变，μ为钢筋的泊松比，试回答以下问题。（2）两个规格相同应变片，采用下图所示布片方式（两个应变片均纵向布置），则应变示值为纵向应变的（ ）倍。A.1B.2C.1+μD.0
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B型超声诊断仪制造工艺采用（）A、光刻B、声刻C、雕刻D、透镜
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简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。
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什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？
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光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）A、刻制图形B、绘制图形C、制作图形
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光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。
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试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。
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光刻加工的工艺过程为（）A、①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原
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微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以
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（）是采用真空蒸发或真空沉积等方法，将电阻材料在基底上制成一层各种形式敏感栅而形成应变片。这种应变片灵敏系数高，易实现工业化生产，是一种很有前途的新型应变片。A、箔式应变片B、半导体应变片C、沉积膜应变片D、薄膜应变片
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微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
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采用熔融挤压成形的典型工艺为（）。A、立体光刻B、分层实体制造C、熔融沉积成型D、选择性激光烧结
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应变片的（）恒小于其敏感栅材料的（）的现象，称为应变片的横向效应。采用（）、（）的（）型应变片，能减小横向效应的影响。另外，为使横向效应的影响减至忽略不计的程度，可以采用（）应变片或（）应变片。
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下列不属于钢材腐蚀类型的是（）。A、大气腐蚀B、介质腐蚀C、应力腐蚀D、应变腐蚀
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疲劳裂纹和应力腐蚀裂纹为加工工艺缺陷。
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单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。Aa.离子束刻蚀、激光刻蚀Bb.干法刻蚀、湿法刻蚀Cc.溅射加工、直写加工
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单选题微传感器的加工工艺不包括（）。A光刻技术BHARQ技术C半导体掺杂技术DLIGA技术
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单选题光刻加工的工艺过程为：（）A①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原
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单选题某种粗苯加工工艺特点是，进行脱硫、脱氮、脱氧和加氢饱和反应，采用共沸精馏、萃取精馏等方法。该粗苯加工工艺类型是（ ）。A酸洗精制法B低温加氢工艺C中温加氢工艺D高温加氢工艺
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问答题光刻工艺包括哪些工艺？
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判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对B错
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填空题光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
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单选题下列不属于钢材腐蚀类型的是（）。A大气腐蚀B介质腐蚀C应力腐蚀D应变腐蚀
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填空题微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
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问答题什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。
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多选题以下属于光刻工艺的为：（）。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀
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