探头的晶片尺寸增加对探头的（）有不利影响。A、 声束的指向性B、 近场区长度C、 远距离缺陷检出能力D、 以上都是
同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。
横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能
提高近表面缺陷的探测能力的方法是（）A、用TR探头B、使用窄脉冲宽频带探头C、提高探头频率，减小晶片尺寸D、以上都是
由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。A、 对探伤有利B、 对探伤不利C、 半扩散角增大D、 超声波能量发散
提高探头频率，增大晶片尺寸可以提高近表面缺陷的探测能力
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A、增加B、减小C、不变
说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
选择较小尺寸的探头晶片探伤（）。A、有利于发现缺陷B、不利于对缺陷定位C、可提高探伤灵敏度D、有利于对缺陷定位
双晶片联合探头，由于盲区较小，因此有利于近表面缺陷的探测。
判断题双晶片联合探头，由于盲区较小，因此有利于近表面缺陷的探测。A对B错
问答题说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
单选题由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。A对探伤有利B对探伤不利C半扩散角增大D超声波能量发散
单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。A 增大B 不变C 减小D 都有可能
单选题横波探头晶片尺寸一定时，K值与近场区长度的关系为（）AK值增大时，近场区长度不变BK值增大时，近场区长度增大CK值增大时，近场区长度减小DK值与近场区长度无关
判断题横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。A对B错
单选题探头的晶片尺寸增加对探头的（）有不利影响。A 声束的指向性B 近场区长度C 远距离缺陷检出能力D 以上都是
单选题提高近表面缺陷的探测能力的方法是（）A用TR探头B使用窄脉冲宽频带探头C提高探头频率，减小晶片尺寸D以上都是
填空题探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
判断题探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。A对B错
单选题探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A增加B减小C不变
判断题同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。A对B错