由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加,近场区长度迅速增加,()。A、 对探伤有利B、 对探伤不利C、 半扩散角增大D、 超声波能量发散

由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加,近场区长度迅速增加,()。

  • A、 对探伤有利
  • B、 对探伤不利
  • C、 半扩散角增大
  • D、 超声波能量发散

相关考题:

钠离子交换器再生时,在一定浓度的盐液中,树脂对Na〈sup〉+〈/sup〉的吸取会优先于Ca〈sup〉2+〈/sup〉、Mg〈sup〉2+〈/sup〉。此题为判断题(对,错)。

横波探头晶片尺寸一定时,K值与近场区长度的关系为()A、K值增大时,近场区长度不变B、K值增大时,近场区长度增大C、K值增大时,近场区长度减小D、K值与近场区长度无关

探头的晶片尺寸增加对探头的()有不利影响。A、 声束的指向性B、 近场区长度C、 远距离缺陷检出能力D、 以上都是

同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比,近场区长度与晶片面积成正比。

横波探头晶片尺寸一定,K值增大时,近场区长度减小。

探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面的缺陷探测不利。

探头的近场长度由下式决定(式中λ波长,f频率,D晶片直径)()。A、N=1.22λ/DB、N=D/4λC、N=D2/4λD、N=2/D

探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面探伤不利。A、增加B、减小C、不变

探头晶片尺寸增加,近场区长度增加,对探伤不利。

单选题关于体质指数的计算公式 ,下列哪一项是正确的( ) 。ABMI=体重(kg)÷〔身高(m)sup2 /sup /pBBMI=体重(斤)÷〔身高(cm)〕sup2 /sup /pCBMI=体重(g)÷〔身高(cm)〕sup2/sup/pDBMI=〔身高(cm)〕÷体重(斤)

单选题由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加,近场区长度迅速增加,()。A对探伤有利B对探伤不利C半扩散角增大D超声波能量发散

单选题某潜水水源地分布面积为5km2,年内地下水位变幅为4m,含水层变幅内平均给水度为0.2,该水源地的可变储量为( )。Ap4×10sup3/supmsup3/sup/pBp2×10sup6/supmsup3/sup/pCp4×10sup6/supmsup3/sup/pDp2×10sup3/supmsup3/sup/p

单选题某承压水水源地,含水层分布面积为10km2,弹性给水度为0.1,承压含水层自顶板算起的压力水头高度为60m,该水源地的弹性储存量为( )。Ap6×10sup7/supmsup3/sup /pBp4×10sup7/supmsup3/sup/pCp4×10sup4/supmsup3/sup/pDp6×10sup4/supmsup3/sup /p

单选题A t(n-1)B F(n-1,n-1)C pχsup2/sup(n-1)/pD pN(μ,σsup2/sup)/p

单选题6个月~2岁儿童WBC计数正常参考区间是( )Ap(100~300)×10sup9/sup/L/pBp(200~300)×10sup9/sup/L/pCp(4.0~10.0)×10sup9/sup/L/pDp(11.0~12.0)×10sup9/sup/L/pEp(15.0~20.0)×10sup9/sup/L/p

单选题标称值为100Ω的标准电阻器,其绝对误差为-0.02Ω,则相对误差为()。A0.02Bp2×10sup-4 /sup /pCp-2×10sup-4 /sup /pDp-2×10sup-4/supΩ /p

单选题横波探头晶片尺寸一定时,K值与近场区长度的关系为()AK值增大时,近场区长度不变BK值增大时,近场区长度增大CK值增大时,近场区长度减小DK值与近场区长度无关

单选题一台数字电压表的技术指标描述规范的是( )。Ap±(1×10sup-6/sup×量程十2×10sup-6/sup×读数)/pBp±(1×10sup-6/sup×量程±2×10sup-6/sup×读数)/pCp±1×10%×量程±2×10sup-6/sup×读数/pDp1×10sup-6/sup×量程±2×10sup-6/sup×读数/p

单选题胺碘酮主要作用为Ap阻滞0相Ksup+/sup外流 /pBp阻滞1相Ksup+/sup外流 /pCp阻滞2相Ksup+/sup外流 /pDp阻滞3相Ksup+/sup外流 /pEp阻滞4相Ksup+/sup外流 /p

填空题探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面的缺陷探测不利。

单选题某工程冬季施工中使用普通硅酸盐水泥拌制的混凝土强度等级为C40,则其要求防冻的最低立方体抗压强度为( )。Ap5N/mmsup2/sup/pBp10N/mmsup2/sup/pCp12N/mmsup2/sup/pDp15N/mmsup2/sup/p

单选题力的量纲为( )。ALTsup-1/sup BLMTsup-2/sup CLTsup-2/sup DLsup-1/supMTsup-2/sup

单选题力的量纲为( )。ApLTsup-1/sup /pBpLMTsup-2/sup /pCp LTsup-2/sup /pDp Lsup-1/supMTsup-2/sup /p

单选题探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面探伤不利。A增加B减小C不变

判断题同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比,近场区长度与晶片面积成正比。A对B错

单选题兴奋性突触后电位是突触后膜对哪种离子的通透性增加引起的ApKsup+/sup和Casup2+/sup/pBpNasup+/sup和Ksup+/sup,尤其是Ksup+/sup/pCpNasup+/sup和Ksup+/sup,尤其是Nasup+/sup/pDpNasup+/sup和Casup2+/sup/pEpClsup-/sup/p

单选题根据《土地管理法》,征用基本农田以外的耕地超过( )的,由国务院批准。Ap0.035kmsup2/sup/pBp3.5kmsup2/sup/pCp0.7kmsup2/sup/pDp350000msup2/sup/p