横波探头晶片尺寸一定时，K值与近场区长度的关系为（）A、K值增大时，近场区长度不变B、K值增大时，近场区长度增大C、K值增大时，近场区长度减小D、K值与近场区长度无关
探头的晶片尺寸增加对探头的（）有不利影响。A、 声束的指向性B、 近场区长度C、 远距离缺陷检出能力D、 以上都是
同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。
探头的选择包括探头的型式、频率、晶片尺寸、灵敏度余量和斜探头K值等。
斜探头横波声场近场区分布在（）介质中，近场长度随入射角的增大而（）。
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随（）。A、频率增加、晶片直径减小而减小B、频率或直径减小而增大C、频率或直径减小而增大D、频率增加、晶片直径减小而增大
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能
半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数，它（）。A、随频率增加、晶片尺寸减小而减小B、随频率或晶片尺寸减小而增大C、随频率或晶片尺寸减小而减小D、频率增加、晶片尺寸减小而增大
探头的选择包括探头的型式、频率 、晶片尺寸和斜探头K值等
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随频率增加、晶片直径减小而增大。
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，近场长度随入射角的增大而（）。
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随（）。A、频率增加、晶片直径减小而减小B、频率或直径减小而增大C、频率增加、晶片直径减小而增大
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A、增加B、减小C、不变
说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
探头晶片尺寸选择应考虑哪些因素？横波斜探头Ｋ值如何选择？
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数，它是随（）。A、频率增加、晶片直径减小而减小B、频率或直径减小而增大C、频率或直径减小而减小D、频率增加、晶片直径减小而增大
问答题说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。A 增大B 不变C 减小D 都有可能
单选题横波探头晶片尺寸一定时，K值与近场区长度的关系为（）AK值增大时，近场区长度不变BK值增大时，近场区长度增大CK值增大时，近场区长度减小DK值与近场区长度无关
判断题横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。A对B错
单选题探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随（）。A频率增加、晶片直径减小而减小B频率或直径减小而增大C频率或直径减小而增大D频率增加、晶片直径减小而增大
填空题探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
问答题探头晶片尺寸选择应考虑哪些因素？横波斜探头Ｋ值如何选择？
单选题探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A增加B减小C不变
判断题同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。A对B错