同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比,近场区长度与晶片面积成正比。

同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比,近场区长度与晶片面积成正比。


相关考题:

探头型号第二位表示() A、基本频率B、晶片材料C、晶片尺寸D、探头种类E、探头特征

探头的晶片尺寸增加对探头的()有不利影响。A、 声束的指向性B、 近场区长度C、 远距离缺陷检出能力D、 以上都是

同类型探头,面积相同,频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。

横波探头晶片尺寸一定,K值增大时,近场区长度减小。

斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能

超声波探头的半扩散角近似与晶片直径成正比,与波长成反比。

探头的选择包括探头的型式、频率 、晶片尺寸和斜探头K值等

探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的()。它随频率的增加、晶片直径的减小而()。

超声波探头的近场长度近似与晶片直径成正比,与波长成反比。

探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随频率增加、晶片直径减小而增大。

超声波探头所选用压电晶片的频率与晶片厚度有密切关系,频率越高,晶片越薄。

探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随()。A、频率增加、晶片直径减小而减小B、频率或直径减小而增大C、频率增加、晶片直径减小而增大

探头晶片面积相同,高频率探头的声束扩散角要比低频率探头的声束扩散角大。

探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面的缺陷探测不利。

斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。

说明指向角和近场区长度的关系,在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸?

探头晶片尺寸增加,近场区长度增加,对探伤不利。

判断题探头晶片面积相同,高频率探头的声束扩散角要比低频率探头的声束扩散角大。A对B错

问答题说明指向角和近场区长度的关系,在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸?

判断题同类型探头,面积相同,频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。A对B错

单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。A 增大B 不变C 减小D 都有可能

单选题横波探头晶片尺寸一定时,K值与近场区长度的关系为()AK值增大时,近场区长度不变BK值增大时,近场区长度增大CK值增大时,近场区长度减小DK值与近场区长度无关

判断题横波探头晶片尺寸一定,K值增大时,近场区长度减小。A对B错

判断题斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。A对B错

填空题探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面的缺陷探测不利。

单选题探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面探伤不利。A增加B减小C不变

判断题同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比,近场区长度与晶片面积成正比。A对B错