超声场近场区长度和指向角的大小都取决于超声波的波长及晶片的尺寸。 （ ）此题为判断题(对，错)。
若园晶片直径为D，探测距离为X，声压公式为Px=P0πD2/4λx，则()A.X＜N(近场区长度)此公式正确B.X＞1.6N时此公式基本上可用C.X＞3N时此公式基本正确D.X＞6N时此公式正确E.BC和D
探头的晶片尺寸增加对探头的（）有不利影响。A、 声束的指向性B、 近场区长度C、 远距离缺陷检出能力D、 以上都是
同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。
横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能
半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数，它（）。A、随频率增加、晶片尺寸减小而减小B、随频率或晶片尺寸减小而增大C、随频率或晶片尺寸减小而减小D、频率增加、晶片尺寸减小而增大
由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。A、 对探伤有利B、 对探伤不利C、 半扩散角增大D、 超声波能量发散
近场区长度在频率给定时，随晶片直径变小而（）。A、缩短B、不变C、增加D、扩散
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
探头的近场长度由下式决定（式中λ波长，f频率，D晶片直径）（）。A、N=1.22λ/DB、N=D/4λC、N=D2/4λD、N=2/D
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A、增加B、减小C、不变
说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
超声场近场区长度和指向角的大小都取决于超声波的波长及晶片的尺寸。
近场区的计算公式是（）A、N=D2/4λB、N=D/4λC、N=λ/4D2
问答题说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
单选题半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数，它（）。A随频率增加、晶片尺寸减小而减小B随频率或晶片尺寸减小而增大C随频率或晶片尺寸减小而减小D频率增加、晶片尺寸减小而增大
单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。A 增大B 不变C 减小D 都有可能
单选题横波探头晶片尺寸一定时，K值与近场区长度的关系为（）AK值增大时，近场区长度不变BK值增大时，近场区长度增大CK值增大时，近场区长度减小DK值与近场区长度无关
判断题横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。A对B错
单选题探头的晶片尺寸增加对探头的（）有不利影响。A 声束的指向性B 近场区长度C 远距离缺陷检出能力D 以上都是
判断题超声场近场区长度和指向角的大小都取决于超声波的波长及晶片的尺寸。A对B错
填空题探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
单选题探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A增加B减小C不变
判断题同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。A对B错