探头型号第二位表示() A、基本频率B、晶片材料C、晶片尺寸D、探头种类E、探头特征
同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。
同类型探头，面积相同，频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。
横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能
超声波探头的半扩散角近似与晶片直径成正比，与波长成反比。
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的（）。它随频率的增加、晶片直径的减小而（）。
超声波探头的近场长度近似与晶片直径成正比，与波长成反比。
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随频率增加、晶片直径减小而增大。
探头晶片面积相同，高频率探头的声束扩散角要比低频率探头的声束扩散角大。
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A、增加B、减小C、不变
说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
判断题探头晶片面积相同，高频率探头的声束扩散角要比低频率探头的声束扩散角大。A对B错
填空题探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
判断题探头晶片尺寸增加，半扩散角减少，波束指向性变好，超声波能量集中。A对B错
判断题探头的选择包括探头的型式、频率、晶片尺寸、灵敏度余量和斜探头K值等。A对B错
单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。A 增大B 不变C 减小D 都有可能
判断题斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。A对B错
判断题横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。A对B错
问答题说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
判断题探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。A对B错
判断题同类型探头，面积相同，频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。A对B错
单选题探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A增加B减小C不变
判断题0°探头近场区与探头外部尺寸成正比关系。A对B错