由于衬底晶向排列比较规则，注入的离子没有与硅原子碰撞，穿入到硅衬底很深的位置的现象称
由于衬底晶向排列比较规则，注入的离子没有与硅原子碰撞，穿入到硅衬底很深的位置的现象称
参考答案和解析
沟道效应
相关考题：
通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A、空穴移向衬底深处B、空穴移向二氧化硅层C、电子移向二氧化硅层D、电子移向衬底层深处
硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）A、体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构
关于多晶硅和非晶硅电池，以下说法错误的是（）A、在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。B、非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。C、多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。D、与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应（S-W效应），但其光电转化效率随温度升高下降较慢。
各种踢脚线的不同基层衬底为（）。A、木踢脚板以木基层为衬底B、聚氯乙烯塑料踢脚板以木基层为衬底C、氯化聚乙烯塑料卷材踢脚板以水泥类基层为衬底D、石材踢脚板以水泥类基层为衬底E、玻璃踢脚板既有以水泥类基层为衬底，也有木基层为衬底
单选题按照衬底材料不同，硅光电二极管分为2CU和2DU两种系列。它们主要有两个不同点：请选择正确的答案（）A2CU是以N-Si为衬底，2DU是以P-Si为衬底；2CU型管还设了一个环极；B2CU是以P-Si为衬底，2DU是以N-Si为衬底，2CU型管还设了一个环极；C2CU是以N-Si为衬底，2DU是以P-Si为衬底，2DU型管还设了一个环极；D2CU是以P-Si为衬底，2DU是以N-Si为衬底，2DU型管还设了一个环极。
单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。 1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4.CVD SiO2，温度低。A1、2B2、4C1、4D1、2、4E1、2、3、4
单选题硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。Aa.体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工；Bb.体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工；Cc.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；
单选题通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A空穴移向衬底深处B空穴移向二氧化硅层C电子移向二氧化硅层D电子移向衬底层深处
填空题半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料（）、（）和化合物晶体材料（）、（）；硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选（）；TTL集成电路衬底材料的晶向常选（）；常用的硅集成电路介电薄膜是（）、（）；常用的IC互连线金属材料是（）、（）。