问答题比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路，试分析两者存在差异的原因。
问答题
比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路，试分析两者存在差异的原因。
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通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A、空穴移向衬底深处B、空穴移向二氧化硅层C、电子移向二氧化硅层D、电子移向衬底层深处
单选题按照衬底材料不同，硅光电二极管分为2CU和2DU两种系列。它们主要有两个不同点：请选择正确的答案（）A2CU是以N-Si为衬底，2DU是以P-Si为衬底；2CU型管还设了一个环极；B2CU是以P-Si为衬底，2DU是以N-Si为衬底，2CU型管还设了一个环极；C2CU是以N-Si为衬底，2DU是以P-Si为衬底，2DU型管还设了一个环极；D2CU是以P-Si为衬底，2DU是以N-Si为衬底，2DU型管还设了一个环极。
单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。 1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4.CVD SiO2，温度低。A1、2B2、4C1、4D1、2、4E1、2、3、4
单选题通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A空穴移向衬底深处B空穴移向二氧化硅层C电子移向二氧化硅层D电子移向衬底层深处
填空题半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料（）、（）和化合物晶体材料（）、（）；硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选（）；TTL集成电路衬底材料的晶向常选（）；常用的硅集成电路介电薄膜是（）、（）；常用的IC互连线金属材料是（）、（）。
填空题半导体材料中锗和硅属于（）结构，砷化镓属于（）结构。