关于多晶硅和非晶硅电池，以下说法错误的是（）A、在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。B、非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。C、多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。D、与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应（S-W效应），但其光电转化效率随温度升高下降较慢。
关于多晶硅和非晶硅电池，以下说法错误的是（）
- A、在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。
- B、非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。
- C、多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。
- D、与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应（S-W效应），但其光电转化效率随温度升高下降较慢。
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以下有关晶硅太阳能电池的温度和光照特性说法错误的是（）A、随着温度的升高，短路电流密度升高，开路电压下降，但光电转换效率下降。B、温度对开路电压的影响明显大于对短路电流的影响。C、光照强度对短路电流的影响明显大于对开路电压的影响。D、与晶硅太阳能电池相比，GaAs太阳能电池的禁带宽度较大，所以晶硅太阳能电池具有更好的温度特性。
多选题用于太阳能电池的半导体材料有（）A单晶硅B多晶硅C非晶硅D微晶硅