问答题硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向,通常偏离(100)或(111)等晶向一个小角度,为什么?

问答题
硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向,通常偏离(100)或(111)等晶向一个小角度,为什么?

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非晶硅太阻电池需要有衬底。此题为判断题(对,错)。

在面心立体晶格中,原子密度最大的晶向是()。 A.100B.110C.111

非晶硅太阳能电池需要有衬底()。 此题为判断题(对,错)。

硅外延生长工艺包括()。A、衬底制备B、原位HCl腐蚀C、生长温度,生长压力,生长速度D、尾气的处理

LCD屏制作的过程中,灌晶封口后为什么要进行再排向工艺?

简述微晶硅薄膜晶体管中非晶硅薄膜上面有一层金属薄膜Mo的作用,以及工艺中需要采用的特殊技术?

下列制品中,不是利用玻璃分相或析晶等原理制造的是:()A、钢化玻璃B、微晶玻璃C、多孔玻璃D、高硅氧玻璃

以下材料中既存在晶界、又存在相界的是()A、孪晶铜B、中碳钢C、亚共晶铝硅合金

属于100晶向族的晶向是()A、[010]B、[100]C、[001]D、[110]

下列哪个不是单晶常用的晶向()A、(100)B、(001)C、(111)D、(110)

小角度晶界和大角度晶界是如何划分的?为什么要那样划分?其晶界能有何不同?

利用化学气相沉积法和物理气相沉积法均可以获得非晶硅膜。

下面是直拉法生产单晶硅工艺流程图正确顺序的是()。A、种晶—放肩—等径—引晶B、引晶—放肩—等径—种晶C、种晶—引晶—放肩—等径D、引晶—种晶—放肩—等径

写出晶向族111中包含的晶向

晶体中原子排列方式相同但位向不同的晶向称为()。A、平行晶向B、一族晶向C、交叉晶向D、相交晶向

单选题陶瓷材料显微结构通常有()三种不同的相组成。A液相,气相,固相B液相,晶相,玻璃相C气相,玻璃相,晶相D气相,晶相,固相

单选题半导体硅工业产品不包括()①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅A①②④B①②③④C②③④D③④

填空题在外延工艺中,如果膜和衬底材料(),例如硅衬底上长硅膜,这样的膜生长称为();反之,膜和衬底材料不一致的情况,例如硅衬底上长氧化铝,则称为()。

单选题下列哪个不是单晶常用的晶向()A(100)B(001)C(111)D(110)

单选题晶体中原子排列方式相同但位向不同的晶向称为()。A平行晶向B一族晶向C交叉晶向D相交晶向

问答题为什么等轴晶系的晶体一般呈三向等长型晶习,而中级晶族晶体则往往沿c轴方向延伸或垂直于c轴延展?

单选题下列探测器产生的图像质量由好到坏的排序是(  )。A非晶硅-非晶硒-CCDBCCD-非晶硅-非晶硒C非晶硒-非晶硅-CCDD非晶硅-CCD-非晶硒ECCD-非晶硒-非晶硅

单选题下列制品中,不是利用玻璃分相或析晶等原理制造的是:()A钢化玻璃B微晶玻璃C多孔玻璃D高硅氧玻璃

填空题硅气相外延的硅源有()、()、()、()等。

问答题试计算出体心立方晶格{100}、{110}、{111}等晶面的原子密度和、、等晶向的原子密度,并指出其最密晶面和最密晶向。(提示:晶面的原子密度为单位面积上的原子数,晶向的原子密度为单位长度上的原子数)

单选题晶面指数(111)与晶向指数(111)的关系是()。A垂直B平行C不一定

填空题半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料()、()和化合物晶体材料()、();硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选();TTL集成电路衬底材料的晶向常选();常用的硅集成电路介电薄膜是()、();常用的IC互连线金属材料是()、()。