执行指令MOVX A,@DPTR时,WR和RD脚的电平为()。A.WR低电平,RD低电平B.WR高电平,RD高电平C.WR高电平,RD低电平D.WR低电平,RD高电平

执行指令MOVX A,@DPTR时,WR和RD脚的电平为()。

A.WR低电平,RD低电平

B.WR高电平,RD高电平

C.WR高电平,RD低电平

D.WR低电平,RD高电平


参考答案和解析
WR 高电平,RD 低电平

相关考题:

执行指令MOVXA,﹫DPTR时,WR.RD脚的电平为()。A.WR高电平,RD低电平B.WR低电平,RD高电平C.WR高电平,RD高电平D.WR低电平,RD低电平

8086微处理器在最小模式下执行输出操作时,下列哪一个选项所描述的状态是正确的?______A.RD低电平,WR高电平,M/IO高电平B.RD高电平,WR低电平,M/IO高电平C.RD低电平,WR高电平,M/IO低电平D.RD高电平,WR低电平,M/IO低电平

8086微处理器在最小模式下执行输出操作叫,下列( )所描述的状态是正确的。A.RD低电平,WR高电平,M/IO高电平B.RD高电平,WR低电平,M/lO高电平C.RD低电子,WR高电平,M/IO低电平D.RD高电平,WR低电平,M/IO低电平

8086微处理器在最小模式下执行输出操作时,下列( )所描述的状态是正确的。A.RD低电平,WR高电平,M/IO高电平B.RD高屯子,WR低电平,M/IO高电平C.RD低电子,WR高电平,M/IO低电平D.RD高电平,WR低电平,M/IO低电平

在8086最小模式下,执行“INAL,n”指令时,M/IO#、WR#、RD#的信号电平依次为()。A、0、0、lB、0、三态、0C、0、1、0D、l、l、0

INTEL 8088 CPU可以访问的存储器空间可达1M,使用的地址信号线为A19~A0,CPU执行一次存储器读操作时,有效控制信号是()。A、RD低电平,WR三态,M/IO低电平B、RD三态,WR低电平,M/IO高电平C、RD低电平,WR高电平,M/IO高电平D、RD高电平,WR低电平,M/IO高电平

当8255A引脚CS()电平时,若RD、WR为()时,表示数据总线为三态(高阻)。

下列各指令中属于查表指令的是()。A、MOV@DPTR,AB、MOVCA,@A+PCC、MOVX@Ri,AD、MOVA,@Ri

在最小模式下,执行“OUT-DX,AL”指令时,M/IO,WR,RD,DT/R的状态分别是()

8086执行OUTDX,AL指令时其引脚()。A、M/IO输出高电平、WR输出高电平B、M/iO输出低电平,RD输出低电平C、M/IO输出低电平、WR输出低电平D、M/IO输出高电平、RD输出高电平

MOVC A,@A+DPTR与MOVX A,@DPTR指令有何不同?

当8255A引脚CS为高电平时,若RD为(),WR为()时则数据总线处于高阻状态。

下面哪条指令产生WR信号()。A、MOVXA,@DPTRB、MOVCA,@A+PCC、MOVCA,@A+DPTRD、MOVX@DPTR,A

假定外部数据存储器3000H单元的内容为50H,执行下列指令后,累加器A 中的内容为()。  MOV DPTR,#3000H     MOVX A,@DPTR

对片外数据RAM单元读写数据用()。A、MOV指令B、MOVX指令C、WR指令D、MOVC指令

当AT89S51执行MOVX A,@R1指令时,伴随着WR信号有效。

区分指令MOVX A,@R1和MOVX A,@DPTR。

51单片机执行MOVX写指令时,相关的信号状态是()。A、PSEN无效为低电平,WR有效为低电平B、PSEN无效为高电平,WR有效为低电平C、PSEN有效为低电平,WR无效为高电平D、PSEN有效为高电平,WR无效为高电平

将89C51片外RAM某单元中的内容送累加器A,应采用()这样的指令。A、MOV  A  @DPTRB、MOVX  @DPTR AC、MOV  @DPTR AD、MOVX  A @DPTR

MOVX @DPTR,A指令使WR信号输出有效,()指令使RD信号输出有效。

当需要从MCS-51单片机程序存储器取数据时,采用的指令为()。A、MOV A, @R1B、MOVC A, @A + DPTRC、MOVX A, @ R0D、MOVX A, @ DPTR

执行指令MOVXA,﹫DPTR时,WR、RD脚的电平为()。A、WR高电平,RD低电平B、WR低电平,RD高电平C、WR低电平,RD低电平

MOVX A @DPTR

区分指令MOVX A,@DPTR和MOVC A,@A+DPTR

用MOVX-@DPTR,A来启动A/D转换开始时,以下说法中正确的是()。A、累加器A中数据没有作用;B、累加器A中数据传递给A/D转换器的同时,该指令的WR用于产生A/D芯片的启动信号;C、用该指令的WR产生A/D芯片的启动信号;D、该指令的WR也可产生A/D芯片的地址锁存信号。

问答题MOVC A,@A+DPTR与MOVX A,@DPTR指令有何不同?

填空题当8255A引脚CS()电平时,若RD、WR为()时,表示数据总线为三态(高阻)。

填空题当8255A引脚CS为高电平时,若RD为(),WR为()时则数据总线处于高阻状态。