关于非平衡载流子的说法,正确的有:A.一般情况,注入的非平衡载流子浓度比平衡的多数载流子浓度小很多。B.小注入的情况下,非平衡少子的浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大很多。C.非平衡少数载流子起重要作用。D.非平衡多数载流子起重要作用。

关于非平衡载流子的说法,正确的有:

A.一般情况,注入的非平衡载流子浓度比平衡的多数载流子浓度小很多。

B.小注入的情况下,非平衡少子的浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大很多。

C.非平衡少数载流子起重要作用。

D.非平衡多数载流子起重要作用。


参考答案和解析
一般情况,注入的非平衡载流子浓度比平衡的多数载流子浓度小很多。;小注入的情况下,非平衡少子的浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大很多。;非平衡少数载流子起重要作用。

相关考题:

下列关于P型半导体的说法正确的是()。A、自由电子`数大于空穴总数B、空穴总数远大于自由电子数C、自由电子成为多数载流子D、空穴成为少数载流子

下列关于平衡膳食宝塔的说法,正确的是( )。

关于活动星系,下列说法错误的是()A、活动星系还有大量非恒星物质、非热辐射B、活动星系含有大量全波段,非热平衡和引力平衡C、活动星系有大规模的物质涌动、爆发、喷流D、活动星系之间并不相互干扰

PN宽度稳定后,()。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运行达到动态平衡D、只有少数载流子的漂移运动

对于P型半导体来说,下列说法正确的是:()。A、在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的;B、它的载流子是空穴;C、它对外呈现正电;D、它的多数载流子是空穴。

PN结的宽度稳定后()。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运动达到动态平衡

在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。()

PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()A、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

下列关于P型半导体中载流子的描述,正确的是()A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子

了解PN结正向电压—电流特性;多子与少子;非平衡少数载流子注入;正向电流(电池的暗电流)及方向。

对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。A、非平衡载流子浓度成正比;B、平衡载流子浓度成正比;C、非平衡载流子浓度成反比;D、平衡载流子浓度成反比。

单选题简述光生伏特效应中正确的是()A用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结;Bp、n区都产生电子—空穴对,产生平衡载流子;C平衡载流子破坏原来的热平衡;D非平衡载流子在内建电场作用下,n区空穴向p区扩散,p区电子向n区扩散;若p-n结开路,在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。

填空题使非平衡载流子浓度增加的运动叫();使非平衡载流子浓度减少的运动叫()。

单选题APD光电二极管出现雪崩击穿是因为( )。A载流子在耗尽区的漂移时间过长B将光信号转换为电信号的效率太低C其所加的反向偏置电压过大D其注入的非平衡载流子扩散过快

名词解释题平衡载流子和非平衡载流子

多选题下列关于平衡计分卡的说法中,正确的有(  )。A各指标要求能够准确量化B组织战略被置于中心地位C是财务指标与非财务指标的平衡D包括财务、顾客、内部流程、学习与创新四个角度

名词解释题非平衡载流子的产生

名词解释题非平衡载流子

问答题什么是非平衡载流子?请简要说明非平衡载流子的主要运动形式。

名词解释题平衡载流子浓度

单选题对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。A非平衡载流子浓度成正比;B平衡载流子浓度成正比;C非平衡载流子浓度成反比;D平衡载流子浓度成反比。

单选题PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()A载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散B载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移C载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散D载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

填空题目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法,一般可分为两大类,(),稳态法(间接法)。

单选题一块半导体寿命τ=15μs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30μs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。A1/4;B1/e;C1/e2;D1/2

问答题测试非平衡少数载流子数目的方法?

单选题关于活动星系,下列说法错误的是()A活动星系还有大量非恒星物质、非热辐射B活动星系含有大量全波段,非热平衡和引力平衡C活动星系有大规模的物质涌动、爆发、喷流D活动星系之间并不相互干扰

单选题掺杂型探测器是由()之间的电子-空穴对复合产生的,激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。A禁带B分子C粒子D能带

填空题非平衡载流子的寿命ζ,就是反映()的参数。