单选题一块半导体寿命τ=15μs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30μs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。A1/4;B1/e;C1/e2;D1/2

单选题
一块半导体寿命τ=15μs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30μs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
A

1/4;

B

1/e;

C

1/e2;

D

1/2


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

已知反应:(1)SO2(g)+1/2O2(g)↔SO3(g)的标准平衡常数为Kθ1 (2)SO3(g)+ CaO(s)↔CaSO4(s)的标准平衡常数为Kθ2 则反应:(3)SO2(g)+1/2O2(g)+CaO(s)↔CaSO4(s)的标准平衡常数Kθ3为() A.Kθ1Kθ2=Kθ3B.Kθ3=Kθ1/Kθ2C.Kθ3=Kθ2/Kθ1D.不能判断

平衡设计模式是()A、S(X-O)B、S(O1-O2-O3-X-O4-O5-O6)C、S1(O1-X-O2)S2(O3--O4)D、S1(X1-O1-X2-O2-X3-O3);S2(X1-O4-X2-O5-X3-O6);S3(X1-O7-X2-O8-X3-O9)

P型半导体和N型半导体结合后便形成PN结,PN结中存在着()种载流子的运动。A4B3C2D1

PN宽度稳定后,()。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运行达到动态平衡D、只有少数载流子的漂移运动

PN结的宽度稳定后()。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运动达到动态平衡

在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。()

半导体的界面或表面被()产生载流子后,生成的()和()由于载流子的作用向相反的方向漂移,引起载流子极化,从而产生了因光照射引起的电流。

P型半导体和N型半导体结合后便形成PN结,PN结中存在着()种载流子的运动。A、4B、3C、2D、1

半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。

当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时,将导致半导体材料()。A、载流子数增加,电阻减小B、载流子数减少,电阻减小C、载流子数增加,电阻增大D、载流子数减少,电阻增大

杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的?杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比,哪个大?为什么?

杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的,少数载流子是由()产生的。

化合物半导体太阳能电池材料的重要特性参数有()。A、多数载流子移动度uB、电阻率ρC、少数载流子寿命τD、符合效果

对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。A、非平衡载流子浓度成正比;B、平衡载流子浓度成正比;C、非平衡载流子浓度成反比;D、平衡载流子浓度成反比。

本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有()A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子

有电池反应:  (1)Cu(s)+ Cl2(pθ)─ 1/2Cu2+(a=1) + Cl-(a=1)  E1   (2)Cu(s)+ Cl2(pθ)─ Cu2+(a=1) + 2Cl-(a=1)   E2   则电动势 E1/E2的关系是:()A、E1/E2=1/2B、E1/E2=1C、E1/E2=2D、E1/E2=1/4

单选题简述光生伏特效应中正确的是()A用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结;Bp、n区都产生电子—空穴对,产生平衡载流子;C平衡载流子破坏原来的热平衡;D非平衡载流子在内建电场作用下,n区空穴向p区扩散,p区电子向n区扩散;若p-n结开路,在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。

填空题使非平衡载流子浓度增加的运动叫();使非平衡载流子浓度减少的运动叫()。

名词解释题平衡载流子和非平衡载流子

名词解释题非平衡载流子的产生

名词解释题非平衡载流子

问答题什么是非平衡载流子?请简要说明非平衡载流子的主要运动形式。

单选题对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。A非平衡载流子浓度成正比;B平衡载流子浓度成正比;C非平衡载流子浓度成反比;D平衡载流子浓度成反比。

单选题掺杂型探测器是由()之间的电子-空穴对复合产生的,激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。A禁带B分子C粒子D能带

填空题目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法,一般可分为两大类,(),稳态法(间接法)。

多选题化合物半导体太阳能电池材料的重要特性参数有()。A多数载流子移动度uB电阻率ρC少数载流子寿命τD符合效果

填空题非平衡载流子的寿命ζ,就是反映()的参数。