在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。
在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是（）型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）；若在本征半导体中掺入少量的五价元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
半导体中有（）和（）两种载流子，在本征半导体中掺着（）阶元素，可形成P型半导体。
当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时，将导致半导体材料（）。A、载流子数增加，电阻减小B、载流子数减少，电阻减小C、载流子数增加，电阻增大D、载流子数减少，电阻增大
本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.
N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。
在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。
半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，下列关于气敏传感器工作机理的描述，不正确的是（）。A、氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加B、氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子增多，电阻值减少C、还原性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加D、还原性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加
半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，当氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值（）；当氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子（），电阻值减少。
对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。A、非平衡载流子浓度成正比；B、平衡载流子浓度成正比；C、非平衡载流子浓度成反比；D、平衡载流子浓度成反比。
在N型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
填空题使非平衡载流子浓度增加的运动叫（）；使非平衡载流子浓度减少的运动叫（）。
单选题对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。A非平衡载流子浓度成正比；B平衡载流子浓度成正比；C非平衡载流子浓度成反比；D平衡载流子浓度成反比。
单选题一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。A1/4；B1/e；C1/e2；D1/2
单选题掺杂型探测器是由（）之间的电子-空穴对复合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。A禁带B分子C粒子D能带
填空题目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法，一般可分为两大类，（），稳态法（间接法）。