单选题APD光电二极管出现雪崩击穿是因为( )。A载流子在耗尽区的漂移时间过长B将光信号转换为电信号的效率太低C其所加的反向偏置电压过大D其注入的非平衡载流子扩散过快

单选题
APD光电二极管出现雪崩击穿是因为(    )。
A

载流子在耗尽区的漂移时间过长

B

将光信号转换为电信号的效率太低

C

其所加的反向偏置电压过大

D

其注入的非平衡载流子扩散过快


参考解析

解析:

相关考题:

光电二极管PIN和雪崩光电二极管APD在光通信中作为光检测器件对光进行检测。() 此题为判断题(对,错)。

把光信号变换成电信号的器件称之为光电检测器件光纤通信中使用的半导体光电检测器有() A.光二极管(LED)和PIN光电二极管B.半导体激光二极管(LD)和雪崩光电二极管(APD)C.PIN光电二极管和雪崩光电二极管(APD)D.发光二极管(LED)和半导体激光二极管(LD)

雪崩光电二极管,写做APD管。() 此题为判断题(对,错)。

试比较PN结光电二极管、PIN光电二极管以及APD雪崩光电二极管的优缺点。

半导体光电检测器有()。A.PIN光电二极管B.APD雪崩光电二极管C.LEDD.LD

不可见光通信用LED作为信号发射器,用本征光电二极管(PD)或雪崩光电二极管(APD)作为信号接收器。()

目前光纤通信常用的半导体光电检测器,如()A、PN结光电二极管B、PIN光电二极管C、APD雪崩光电二极管D、电容

工作在短波长区的雪崩光电二极管是()。A、SI-APDB、Ge-APDC、InGaAs-APD

()就是利用雪崩效应使光电流得到倍增的高灵敏度的检测器。A、发光二极管B、APD雪崩光电二极管C、双基极二极管D、混频二极管

随着温度升高,雪崩光电二极管(APD)的倍增增益将()A、稳步递增B、快速递增C、下降D、不变

雪崩光电二极管(APD)利用()使光电流得到倍增。A、灵敏度效应B、温度效应C、响应度效应D、雪崩效应

光电检测器的种类有PN结光电二极管和()三种。A、发光二极管、PIN光电二极管B、APD雪崩光电二极管、双基极二极管C、PIN光电二极管、APD雪崩光电二极管D、双基极二极管、混频二极管

常用的半导体光电检测器有PIN光电二极管和()两种。A、发光二极管B、APD雪崩光电二极管C、双基极二极管D、混频二极管

光电检测器目前主要采用()或()。A、半导体激光器(LD)B、半导体发光二极管(LED)C、光电二极管(PIN)D、雪崩光电二极管(APD)

常用的光电检测器有光电二极管(PIN)和雪崩光电二极管(APD)两种。

光接收器件主要有发光二极管(LED)和雪崩光电二极管(APD)。

为了使雪崩光电二极管APD正常工作,在其P-N结上应加()。A、高正向偏压B、低正向偏压C、低反向偏压D、高反向偏压

半导体光检测器主要有两类:PIN光电二极管和雪崩光电二极管(APD)APD管由于其灵敏度比较高一般为__dBm左右,适用于长距离传送A、-14B、-20C、-28D、-45

单选题光电检测器的种类有PN结光电二极管和()三种。A发光二极管、PIN光电二极管BAPD雪崩光电二极管、双基极二极管CPIN光电二极管、APD雪崩光电二极管D双基极二极管、混频二极管

判断题采用雪崩光电二极管(APD)的要求是有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路。A对B错

多选题光接收模块有哪几种类型()A光电二极管(PIN)B雪崩二极管(APD)C光电三极管DPN结

多选题光电检测器目前主要采用()或()。A半导体激光器(LD)B半导体发光二极管(LED)C光电二极管(PIN)D雪崩光电二极管(APD)

单选题雪崩光电二极管(APD)具有()A内部放大作用B内部衰减作用C内部平衡作用D内部纠错作用

单选题为了使雪崩光电二极管APD正常工作,在其P-N结上应加()。A高正向偏压B低正向偏压C低反向偏压D高反向偏压

单选题雪崩光电二极管(APD)利用()使光电流得到倍增。A灵敏度效应B温度效应C响应度效应D雪崩效应

多选题光发射机中的重要器件,目前主要采用()或()。A半导体激光器(LD)B半导体发光二极管(LED)C光电二极管(PIN)D雪崩光电二极管(APD)

判断题雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。A对B错