下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子

下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）

  • A、仅自由电子是载流子
  • B、仅空穴是载流子
  • C、自由电子和空穴都是载流子
  • D、三价杂质离子也是载流子

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N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 此题为判断题(对，错)。
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P型半导体的多数载流子是_________,少数载流子是______。
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P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
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对于P型半导体来说，下列说法正确的是：（）。A、在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的；B、它的载流子是空穴；C、它对外呈现正电；D、它的多数载流子是空穴。
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本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
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N型半导体中，多数载流子是（），P型半导体中，多数载流子是（）。A、正离子B、自由电子C、空穴D、负离子E、质子F、中子
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P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。
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在P型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
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P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。
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半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
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P型半导体中多数载流子为（），少数载流子为（）。
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P型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
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对半导体而言，其正确的说法是（）A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子
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P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是（）
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N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。
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由于P型半导体中的多数载流子是空穴，所以P型半导体带正电。（）
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P型半导体中自由电子是（）载流子。
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P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）
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在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。
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由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
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半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，下列关于气敏传感器工作机理的描述，不正确的是（）。A、氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加B、氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子增多，电阻值减少C、还原性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加D、还原性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加
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在P型半导体中空穴是（）载流子，电子是（）载流子。
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N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
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填空题（）和（）是半导体的主要载流子，N型半导体中（）浓度高于（）浓度，而 P型半导体中（）浓度高于 电子浓度，（）半导体中的两种载流子浓度相等。
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填空题本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
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问答题N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？
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判断题由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。A对B错
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