对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。A、非平衡载流子浓度成正比;B、平衡载流子浓度成正比;C、非平衡载流子浓度成反比;D、平衡载流子浓度成反比。

对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。

  • A、非平衡载流子浓度成正比;
  • B、平衡载流子浓度成正比;
  • C、非平衡载流子浓度成反比;
  • D、平衡载流子浓度成反比。

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关于相平衡常数的叙述正确的是()。 A、相平衡常数与总压成正比B、越易挥发的组分,其蒸汽压越大,平衡常数越小C、平衡常数随温度、压力变化较小D、平衡温度高、蒸汽压力大、平衡常数也大

一般情况下,对于一个给定条件下的反应,随着反应的进行( )。A.正反应速率降低B.速率常数变小C.平衡常数变大D.逆反应速率降低

对于一个给定条件下的反应,随着反应的进行,应有下列中哪种变化?A.速率常数变小 B.逆反应速率不变C.正反应速率降低 D.平衡常数变大

在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。()

对于一个给定条件下的反应,随着反应的进行,应有下列中哪种变化()?A、速率常数变小B、逆反应速率不变C、正反应速率降低D、平衡常数变大

对于同类型反应,平衡常数大,则反应达到平衡时有较少的生成物形成,而剩余的反应物则较多。

下列关于化学平衡的说法中,正确的是()A、不同的可逆反应,反应物的性质不同,平衡常数是相同的B、对可逆反应来说,平衡常数越大,表示反应达到平衡时生成物浓度和反应物浓度的比值越大C、对于同一个可逆反应,在不同温度下,平衡常数有相同的数值D、对于可逆反应来说,平衡常数越大,也就是反应完成的程度越小,物质的转化率越大

叙述晶体三极管电流的传输过程()。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子,在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程

了解PN结正向电压—电流特性;多子与少子;非平衡少数载流子注入;正向电流(电池的暗电流)及方向。

朗伯 比耳定律表达式中的吸光系数在一定条件下是一个常数,它与()、()及()无关。

判断题注入电致发光显示在半导体PN结上加反偏压产生少数载流子注入,与多数载流子复合发光。A对B错

单选题简述光生伏特效应中正确的是()A用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结;Bp、n区都产生电子—空穴对,产生平衡载流子;C平衡载流子破坏原来的热平衡;D非平衡载流子在内建电场作用下,n区空穴向p区扩散,p区电子向n区扩散;若p-n结开路,在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。

名词解释题载流子注入

填空题使非平衡载流子浓度增加的运动叫();使非平衡载流子浓度减少的运动叫()。

单选题对于一个给定条件下的反应,随着反应的进行,应有下列中哪种变化()?A速率常数变小B逆反应速率不变C正反应速率降低D平衡常数变大

填空题发光二极管是()载流子在PN结区注入与复合而产生发光的半导体光源。

单选题APD光电二极管出现雪崩击穿是因为( )。A载流子在耗尽区的漂移时间过长B将光信号转换为电信号的效率太低C其所加的反向偏置电压过大D其注入的非平衡载流子扩散过快

名词解释题平衡载流子和非平衡载流子

名词解释题非平衡载流子的产生

名词解释题非平衡载流子

问答题什么是非平衡载流子?请简要说明非平衡载流子的主要运动形式。

单选题对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。A非平衡载流子浓度成正比;B平衡载流子浓度成正比;C非平衡载流子浓度成反比;D平衡载流子浓度成反比。

填空题目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法,一般可分为两大类,(),稳态法(间接法)。

单选题一块半导体寿命τ=15μs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30μs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。A1/4;B1/e;C1/e2;D1/2

问答题测试非平衡少数载流子数目的方法?

单选题掺杂型探测器是由()之间的电子-空穴对复合产生的,激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。A禁带B分子C粒子D能带

填空题非平衡载流子的寿命ζ,就是反映()的参数。