PN宽度稳定后，（）。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运行达到动态平衡D、只有少数载流子的漂移运动
PN结的宽度稳定后（）。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运动达到动态平衡
在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
刀具寿命仅反映刀具几何参数和切屑用量选择的合理与否
刀具寿命仅反映刀具几何参数和切削用量选择的合理与否。
了解PN结正向电压—电流特性；多子与少子；非平衡少数载流子注入；正向电流（电池的暗电流）及方向。
评价太阳能电池优劣的内部参数是（）。A、多数载流子B、少数载流子C、填充因子D、电子空穴对
评价太阳能电池性能的优劣的参数是（）。A、少数载流子B、多数载流子C、填充因子D、空穴对
化合物半导体太阳能电池材料的重要特性参数有（）。A、多数载流子移动度uB、电阻率ρC、少数载流子寿命τD、符合效果
对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。A、非平衡载流子浓度成正比；B、平衡载流子浓度成正比；C、非平衡载流子浓度成反比；D、平衡载流子浓度成反比。
单选题简述光生伏特效应中正确的是（）A用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；Bp、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；C平衡载流子破坏原来的热平衡；D非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。
填空题使非平衡载流子浓度增加的运动叫（）；使非平衡载流子浓度减少的运动叫（）。
多选题化合物半导体太阳能电池材料的重要特性参数有（）。A多数载流子移动度uB电阻率ρC少数载流子寿命τD符合效果
单选题APD光电二极管出现雪崩击穿是因为（ ）。A载流子在耗尽区的漂移时间过长B将光信号转换为电信号的效率太低C其所加的反向偏置电压过大D其注入的非平衡载流子扩散过快
问答题什么是非平衡载流子？请简要说明非平衡载流子的主要运动形式。
单选题对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。A非平衡载流子浓度成正比；B平衡载流子浓度成正比；C非平衡载流子浓度成反比；D平衡载流子浓度成反比。
填空题目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法，一般可分为两大类，（），稳态法（间接法）。
单选题一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。A1/4；B1/e；C1/e2；D1/2
填空题（）是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。
单选题掺杂型探测器是由（）之间的电子-空穴对复合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。A禁带B分子C粒子D能带
填空题反映半导体中载流子导电能力的一个重要参数是（）。