填空题目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法,一般可分为两大类,(),稳态法(间接法)。

填空题
目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法,一般可分为两大类,(),稳态法(间接法)。

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相关考题:

在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。()

据辐射式热流测量原理,其测量方法可分为稳态测量法和动态测量法。

根据传导型热流测量原理,其测量方法可分为()。A、稳态测量法B、动态测量法C、稳态辐射热流法D、瞬态辐射热流法

ELISA目前常用的方法()A、直接法B、间接法C、竞争法D、捕获法E、双抗体夹心法

温度测量可分为两大类,即接触法和直接法。

温度表按测量方法可分为接触式和非接触式两大类。

非稳态法测量材料的热导率是根据()来测量材料热传导性能的方法。

按取得测量结果的方式分类,测量电阻的方法有()。A、直接法(万用表法)B、比较法(电桥法)C、间接法(伏安法)D、计算法

非稳态法可分为()方法。A、准稳态法B、热线法C、热带法D、常功率热源法

目前常用的免疫组化染色方法为()A、直接法B、间接法C、PAP法D、ABC法E、LSAB(SP)法

根据辐射式热流测量原理,其测量方法可分为稳态辐射热流法和()A、稳态测量法B、动态测量法C、非稳态测量法D、瞬态辐射热流法

根据辐射式热流测量原理,其测量方法可分为()。A、稳态测量法B、动态测量法C、稳态辐射热流法D、瞬态辐射热流法

测定材料的导热系数的方法可分为()两种。A、平板法B、稳态C、非稳态D、球体法

晶体管从结构上可分成()和()两种类型,根据半导体材料不同可分为()和()管。它们工作时有()和()两种载流子参与导电,常称之为双极型晶体管。

对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。A、非平衡载流子浓度成正比;B、平衡载流子浓度成正比;C、非平衡载流子浓度成反比;D、平衡载流子浓度成反比。

单选题目前常用的免疫组化染色方法为()A直接法B间接法CPAP法DABC法ELSAB(SP)法

填空题P型半导体是在硅晶体中渗入()形成的,其多数载流子是()。

单选题对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。A非平衡载流子浓度成正比;B平衡载流子浓度成正比;C非平衡载流子浓度成反比;D平衡载流子浓度成反比。

单选题一块半导体寿命τ=15μs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30μs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。A1/4;B1/e;C1/e2;D1/2

多选题非稳态法可分为()方法。A准稳态法B热线法C热带法D常功率热源法

单选题根据辐射式热流测量原理,其测量方法可分为稳态辐射热流法和()A稳态测量法B动态测量法C非稳态测量法D瞬态辐射热流法

单选题根据传导型热流测量原理,其测量方法可分为稳态测量法和()A非稳态测量法B动态测量法C稳态辐射热流法D瞬态辐射热流法

多选题ELISA目前常用的方法()A直接法B间接法C竞争法D捕获法E双抗体夹心法

多选题根据传导型热流测量原理,其测量方法可分为()。A稳态测量法B动态测量法C稳态辐射热流法D瞬态辐射热流法

填空题非平衡载流子的寿命ζ,就是反映()的参数。

填空题在硅晶体中掺入少量磷,则形成()半导体,其少数载流子为()。

多选题根据辐射式热流测量原理,其测量方法可分为()。A稳态测量法B动态测量法C稳态辐射热流法D瞬态辐射热流法