问答题测试非平衡少数载流子数目的方法?

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测试非平衡少数载流子数目的方法?

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相关考题:

PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。 A、多数载流子扩散而成B、多数载流子漂移而成C、少数载流子扩散而成D、少数载流子漂移而成

三极管的反向电流ICBO是由()组成的。 A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、带电离子

P型半导体的多数载流子是_________,少数载流子是______。

下列关于P型半导体的说法正确的是()。A、自由电子`数大于空穴总数B、空穴总数远大于自由电子数C、自由电子成为多数载流子D、空穴成为少数载流子

当PN结两端加正向电压时,在PN结内参加导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子

对PN结加反偏电压时,参与导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子,也有少数载流子

PN宽度稳定后,()。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运行达到动态平衡D、只有少数载流子的漂移运动

在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。()

当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是()A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、本征载流子

当PN结两端加正向电压时,那么参加导电的主要是()。A、不一定B、少数载流子C、既有多数载流子,又有少数载流子D、多数载流子

在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子,多子(自由电子)的数量=()+少子(空穴)的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子

半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。

了解PN结正向电压—电流特性;多子与少子;非平衡少数载流子注入;正向电流(电池的暗电流)及方向。

N型半导体中的多数载流子是(),少数载流子是()。

对PN结施加反向电压时,参与导电的是()A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子

杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的?杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比,哪个大?为什么?

当二极管导通后参加导电的是()A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、共价键中的价电子

对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。A、非平衡载流子浓度成正比;B、平衡载流子浓度成正比;C、非平衡载流子浓度成反比;D、平衡载流子浓度成反比。

填空题使非平衡载流子浓度增加的运动叫();使非平衡载流子浓度减少的运动叫()。

名词解释题平衡载流子和非平衡载流子

名词解释题非平衡载流子的产生

名词解释题非平衡载流子

问答题什么是非平衡载流子?请简要说明非平衡载流子的主要运动形式。

单选题对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。A非平衡载流子浓度成正比;B平衡载流子浓度成正比;C非平衡载流子浓度成反比;D平衡载流子浓度成反比。

单选题在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子,多子(自由电子)的数量=()+少子(空穴)的数量。A正离子数B负离子数C质子D原子

单选题当PN结两端加正向电压时,那么参加导电的主要是()。A不一定B少数载流子C既有多数载流子,又有少数载流子D多数载流子

填空题非平衡载流子的寿命ζ,就是反映()的参数。