求方程根的割线法的收敛阶为

求方程根的割线法的收敛阶为


参考答案和解析

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设求方程f(x)=0的根的切线法收敛,则它具有()敛速。A、线性B、超线性C、平方D、三次

方程二分法的局限性是()A、收敛速度慢B、不能求偶重根C、方法复杂不易求出D、盲目性大

若方程运用牛顿法具有收敛性,则方程的x*的二阶导数不等于0。()

一般情形下,简单迭代法的收敛阶为1,牛顿法的收敛阶为2。() 此题为判断题(对,错)。

解非线性方程f(x)=0的牛顿迭代法在重根附近() A、线性收敛B、三次收敛C、平方收敛D、不收敛

设求方程f(x)=0的根的牛顿法收敛,则它具有()收敛。 A、超线性B、平方C、线性D、三次

已知3阶矩阵A的第一行是不全为零,矩阵 (k为常数),且AB=0, 求线性方程组Ax=0的通解

设A为三阶矩阵,A的第一行元素为a,b,c且不全为零,又B=且AB=0,求方程组AX=0的通解.

设A,B为三阶矩阵,且满足方程.若矩阵,求矩阵B.

设,E为3阶单位矩阵(1)求方程组的一个基础解系; (2)求满足的所有矩阵B

设A=,E为三阶单位矩阵.  (Ⅰ)求方程组Ax=0的一个基础解系;  (Ⅱ)求满足AB=E的所有矩阵B.

(1)求F(x)所满足的一阶微分方程; (2)求出F(x)的表达式。

在负荷与温度回归方程的基础上,对温度求()导数,得到不同温度条件下,单位温升负荷变化效应。A、一阶B、二阶C、三阶D、四阶

一阶过程控制系统稳定的条件是()A、特征根为正,微分方程系数都大于零B、特征根为负,微分方程系数都大于零C、特征根为正,微分方程系数都小于零D、特征根为负,微分方程系数都小于零

当二阶系统特征方程的根为具有负实部的复数根时,系统的阻尼比为()A、ζ0B、ζ=0C、0ζ1D、ζ≥1

根轨迹在s平面上的分支数等于闭环特征方程的阶数。

用二分法求方程f(x)=x3+x-1=0在区间[0,1]内的根,进行一步后根的所在区间为(),进行两步后根的所在区间为()。

一阶线性非齐次方程求解公式推导的方法是()。A、特征根法B、常数变异法C、变量变换法D、积分因子法

常系数二阶线性齐次方程的求解方法是()。A、常数变异法B、变量变换法C、积分因子法D、特征根法

二阶过程控制系统稳定的条件是()A、特征根实部为负,衰减系数小于零,微分方程系数都大于零B、特征根实部为正,衰减系数小于零,微分方程系数都大于零C、特征根实部为正,衰减系数大于零,微分方程系数都大于零D、特征根实部为负,衰减系数大于零,微分方程系数都大于零

确定系统根轨迹的充要条件是()。A、根轨迹的模方程B、根轨迹的相方程C、根轨迹增益D、根轨迹方程的阶次

一阶变量可分离方程的求解方法是()。A、特征根法B、常数变异法C、变量变换法D、不定积分法

填空题用二分法求方程f(x)=x3+x-1=0在区间[0,1]内的根,进行一步后根的所在区间为(),进行两步后根的所在区间为()。

单选题常系数二阶线性齐次方程的求解方法是()。A常数变异法B变量变换法C积分因子法D特征根法

单选题一阶过程控制系统稳定的条件是()A特征根为正,微分方程系数都大于零B特征根为负,微分方程系数都大于零C特征根为正,微分方程系数都小于零D特征根为负,微分方程系数都小于零

单选题一阶线性非齐次方程求解公式推导的方法是()。A特征根法B常数变异法C变量变换法D积分因子法

单选题设求方程f(x)=0的根的牛顿法收敛,则它具有()敛速。A超线性B平方C线性D三次

单选题一阶变量可分离方程的求解方法是()。A特征根法B常数变异法C变量变换法D不定积分法