晶体管的参数受温度的影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为()。A.β和ICBO增加,UBE减小B.β和UBE减小,ICBO增加C.β增加,ICBO和UBE减小D.β、UBE和ICBO都增加

晶体管的参数受温度的影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为()。
A.β和ICBO增加,UBE减小
B.β和UBE减小,ICBO增加
C.β增加,ICBO和UBE减小
D.β、UBE和ICBO都增加


参考解析

解析:解根据晶体管的特性,温度上升,β增加,UBE减小,ICBO增加,导致IC增加。

相关考题:

温度升高导致三极管参数发生()变化。 A、ICBO,β,UBE都增大B、ICBO,β,UBE都减小C、ICBO,β增大,UBE减小D、β,UBE增大,ICBO减小

液体的粘度受温度影响较大,当温度升高时粘度()。 A、升高B、降低C、不变D、变化不定

温度上升时,半导体三极管的() A、ICBO增大,UBE下降B、UBE增大,ICBO减小C、ICBO和UBE增大D、ICBO和UBE减少

环境温度升高时双极型三极管的ICBO,β,Ube都升高。() 此题为判断题(对,错)。

当温度T升高时,晶体三极管的参数有如下变化规律()。 A、b增大,UBE增大,ICBO增大B、b减小,UBE减小,ICBO减小C、b增大,UBE减小,ICBO增大D、b减小,UBE增大,ICBO减小

常温下,硅晶体管的UBE=0.7V,且随温度升高UBE增加。() 此题为判断题(对,错)。

晶体管的参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO和UBE的变化情况分别为(  )。A.β增加,ICBO和UBE减小B.β和ICBO增加,UBE减小C.β和UBE减小,ICBO增加D.β、ICBO和UBE都增加

温度对晶体管影响最大三个参数是Icba,β及Ube

晶体管对温度很(),如温度升高,其特性会变化,温度过高,将使晶体管损坏。

温度升高时,三极管参数正确变化的是()。A、Icbo,Ube,β均增大B、Icbo,Ube,β均减小C、Icbo及β增大,Ube下降D、Icbo及β下降,Ube增大

直接耦合放大电路静态工作点,发生变化的原因是()。A、晶体管放大倍数低B、电阻器阻值变化C、晶体管参数受温度影响D、电源电压不稳定

零点漂移形成原因主要是晶体管和元件受温度影响,引起参数变化而造成的。

温度升高导致三极管参数发生()变化。A、Icbo、β、Ube都增大B、Icbo、β、Ube都减小C、Icbo和β增大、Ube减小D、Icbo减小、β和Ube增大

产生零点漂移的主要原因是晶体管参数受温度的影响。

温度升高,晶体管的电流放大系数β(),反向饱和电流ICBO()正向结电压uBE()。

产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

当温度升高时,晶体管的β(),反向电流(),UBE()

晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为()A、β增加,ICBO,和 uBE减小B、β和ICBO增加,uBE减小C、β和uBE减小,ICBO增增加D、β、ICBO和uBE都增加

晶体管是温度的敏感元件,当温度升高时其参数ICBO(),VBE(),β()。

当温度升高时,晶体管的参数β增大,ICBO(),导通电压UBE减小。

晶体三极管的参数受温度影响,当温度升高时,晶体管的ICBO将(),β将(),|UBE|将()。

晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为()。A、β增加,ICBO和 uBE减小B、β和ICBO增加,uBE减小C、β和uBE减小,ICBO增加D、β、ICBO和uBE都增加

晶体三极管的β、ICBO、UBE都是温度的函数,当温度升高时,β和ICBO(),而UBE()

当温度升高时,晶体管的参数碑拓β(),ICBO(),导通电压()。

三极管中Icbo和Iceo随温度升高而(),Ube随温度升高而()。

判断题零点漂移形成原因主要是晶体管和元件受温度影响,引起参数变化而造成的。A对B错

单选题液体的粘度受温度影响较大,当温度升高时粘度()。A升高B降低C不变D变化不定