晶体管的参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO和UBE的变化情况分别为（ ）。A．β增加，ICBO和UBE减小B．β和ICBO增加，UBE减小C．β和UBE减小，ICBO增加D．β、ICBO和UBE都增加
晶体管的参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO和UBE的变化情况分别为（ ）。
A．β增加，ICBO和UBE减小
B．β和ICBO增加，UBE减小
C．β和UBE减小，ICBO增加
D．β、ICBO和UBE都增加
B．β和ICBO增加，UBE减小
C．β和UBE减小，ICBO增加
D．β、ICBO和UBE都增加
参考解析
解析：对于硅管而言，虽然三个参数均随温度而变化，但其中ICBO，的值很小，对工作点稳定性影响较小。硅管的VBE的温度系数为-2.2mV/℃，在任意温度T时的VBE为：
可见VBE随温度升高而降低。电流放大系数β会随温度的升高而增大，这是因为温度升高后，加快了基区注入载流子的扩散速度，根据试验结果，温度每升高一度，β增加大约0.5%～1%。UBE减小，集电极反向饱和电流ICBO增加。β的增加导致集电极电流IC增加。三极管的温度特性较差，使用中应采取相应的措施克服温度的影响。
可见VBE随温度升高而降低。电流放大系数β会随温度的升高而增大，这是因为温度升高后，加快了基区注入载流子的扩散速度，根据试验结果，温度每升高一度，β增加大约0.5%～1%。UBE减小，集电极反向饱和电流ICBO增加。β的增加导致集电极电流IC增加。三极管的温度特性较差，使用中应采取相应的措施克服温度的影响。
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晶体管的参数受温度的影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为（）。A.β和ICBO增加，UBE减小B.β和UBE减小，ICBO增加C.β增加，ICBO和UBE减小D.β、UBE和ICBO都增加
晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为（）A、β增加，ICBO，和 uBE减小B、β和ICBO增加，uBE减小C、β和uBE减小，ICBO增增加D、β、ICBO和uBE都增加
晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为（）。A、β增加，ICBO和 uBE减小B、β和ICBO增加，uBE减小C、β和uBE减小，ICBO增加D、β、ICBO和uBE都增加
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