温度对晶体管影响最大三个参数是Icba，β及Ube

温度对晶体管影响最大三个参数是Icba，β及Ube

相关考题：

硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。
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温度升高导致三极管参数发生()变化。 A、ICBO，β，UBE都增大B、ICBO，β，UBE都减小C、ICBO，β增大，UBE减小D、β，UBE增大，ICBO减小
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晶体管的穿透电流ICEO是表明()。 A、该管温度稳定性好坏的参数B、该管允许通过最大电流的极限参数C、该管放大能力的参数
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当温度T升高时,晶体三极管的参数有如下变化规律()。 A、b增大，UBE增大，ICBO增大B、b减小，UBE减小，ICBO减小C、b增大，UBE减小，ICBO增大D、b减小，UBE增大，ICBO减小
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常温下,硅晶体管的UBE=0.7V,且随温度升高UBE增加。() 此题为判断题(对，错)。
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零点漂移形成原因主要是晶体管和元件受温度影响,引起参数变化而造成的。() 此题为判断题(对，错)。
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零点漂移形成原因主要是晶体管和元件受温度影响，引起参数变化造成的。此题为判断题(对，错)。
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晶体管的参数受温度的影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为（）。A.β和ICBO增加，UBE减小B.β和UBE减小，ICBO增加C.β增加，ICBO和UBE减小D.β、UBE和ICBO都增加
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晶体管的参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO和UBE的变化情况分别为（　　）。A．β增加，ICBO和UBE减小B．β和ICBO增加，UBE减小C．β和UBE减小，ICBO增加D．β、ICBO和UBE都增加
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温度升高时，三极管参数正确变化的是（）。A、Icbo，Ube，β均增大B、Icbo，Ube，β均减小C、Icbo及β增大，Ube下降D、Icbo及β下降，Ube增大
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直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。A、电阻阻值有误差B、采用阻容耦合方式C、晶体管参数受温度影响与电源电压不稳定D、晶体管参数的分散性
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零点漂移形成原因主要是晶体管和元件受温度影响，引起参数变化而造成的。
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温度升高导致三极管参数发生（）变化。A、Icbo、β、Ube都增大B、Icbo、β、Ube都减小C、Icbo和β增大、Ube减小D、Icbo减小、β和Ube增大
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温度的变化造成晶体管参数的改变，易影响高频振荡器的振荡频率。
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产生零点漂移的主要原因是晶体管参数受温度的影响。
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温度升高，晶体管的电流放大系数β（），反向饱和电流ICBO（）正向结电压uBE（）。
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产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
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当温度升高时，晶体管的β（），反向电流（），UBE（）
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晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为（）A、β增加，ICBO，和 uBE减小B、β和ICBO增加，uBE减小C、β和uBE减小，ICBO增增加D、β、ICBO和uBE都增加
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晶体管的穿透电流ICEO是表明该管（）的参数。A、温度稳定性好坏B、允许通过最大电流的极限C、放大能力
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直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是晶体管参数受温度影响。
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当温度升高时，晶体管的参数β增大，ICBO（），导通电压UBE减小。
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晶体三极管的参数受温度影响，当温度升高时，晶体管的ICBO将（），β将（），|UBE|将（）。
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晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为（）。A、β增加，ICBO和 uBE减小B、β和ICBO增加，uBE减小C、β和uBE减小，ICBO增加D、β、ICBO和uBE都增加
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有人测试晶体管的γbe，方法是通过测得晶体管的UBE=0.7，IB=20mA，推算出γbe=UBE/IB=0.7V/20mA=35KΩ。
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NPN晶体管处于截止状态的条件是（）。A、UBE0.7VB、UBE0.7VC、UBE=0.7V
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在晶体管电路中Ie=Ib+Ic及uce=ucb+ube是符合节点电流及回路电压定律。
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