温度上升时,半导体三极管的() A、ICBO增大，UBE下降B、UBE增大，ICBO减小C、ICBO和UBE增大D、ICBO和UBE减少

温度上升时,半导体三极管的()

A、ICBO增大，UBE下降

B、UBE增大，ICBO减小

C、ICBO和UBE增大

D、ICBO和UBE减少

相关考题：

测量不能直接接触的高温物体温度,可采用( )温度传感器。 A. 热电偶B. 亮度式C. 半导体三极管D. 半导体二极管
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当温度升高时,半导体三极管的β值()。 A、变大B、变小C、不变D、为零
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温度升高,半导体三极管的共射输出特性曲线下移。() 此题为判断题(对，错)。
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大多数金属电阻值当温度上升1℃时,电阻值约增大( );而半导体电阻值当温度上升1℃时,电阻值下降( )。
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227）下图为某一半导体三极管T的图形符号，由该图形符号可知该半导体三极管T是NPN型半导体三极管。（ ）
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58)下图为某一半导体三极管T在电路中工作时各级电压，可知该半导体三极管T工作在饱和状态。（ ）
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半导体三极管工作在开关状态时，其“开关闭合”状态是指半导体三极管工作在截止状态。
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18、三极管温度升高时，VBE随温度上升而发生（）。A．减小B．增大C．不变D．无法确定
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9、通常金属的电导率随温度上升而减小，电介质和半导体的电导率随温度上升而增加。
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